规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 其他名称 | BSC014NE2LSICT |
| 标准包装数量 | 5,000 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 3.6 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 52 nC |
| 最大功率 | 74W |
| 开通延迟时间 | 5 ns |
| 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 5 ns |
| 晶体管类型 | Si |
| 关断延迟时间 | 25 ns |
| 首抽头延迟 | 25 ns |
| 供电电压 | 0.56V |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 0.002 Ω |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1.4 mOhm @ 30A, 10V |
| 平均正向功率 | 74 W |
| 最大功耗 | 74 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 25 V |
| 导通电阻（最大） | 1.2 mOhms |
| 电流传输比（最小） | 140s |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 39nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 5 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2700pF @ 12V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 33A (Ta), 100A (Tc) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 5.35mm |
| 高度 | 1.1mm |
| 长度 | 6.1mm |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 8 |
| 封装形式 | 8-PowerTDFN |
| 包装数量 | TDSON |
| 尺寸/外形 | 6.1 x 5.35 x 1.1mm |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 系列 | BSC014NE2 |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | N |
| 制造商全称 | Infineon Technologies |
| 卡标准 | 功率 MOSFET |
| 配置 | 1 N-Channel |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | +150 °C |