IRFH5302DTR2PBF
Infineon Technologies AG
MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 , 29 A, Vds=30 V, 8针 PQFN封装
规格参数
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 开通延迟时间 | 16 ns |
| 输出功能 | 增强 |
| 晶体管类型 | 单 |
| 关断延迟时间 | 20 ns |
| 供电电压 | 30 V |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 3 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.35V |
| 最大功耗 | 3600 mW |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±20 V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 3635 pF @ 25 V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 29 A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 6mm |
| 高度 | 0.81mm |
| 长度 | 5mm |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数 | 8 |
| 包装数量 | PQFN |
| 尺寸/外形 | 5 x 6 x 0.81mm |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 系列 | HEXFET |
| 功能 | Y |
| 通道类型 | N |
| 卡标准 | 功率 MOSFET |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | +150 °C |