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# 元件详情：IRF9333PBF

- **型号**: IRF9333PBF
- **oneic 编号**: 173-IRF9333PBF
- **厂商**: Infineon Technologies AG
- **描述**: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRF9333TRPBF, 9.2 A, Vds=30 V, 8针 SOIC封装 MOSFET 20V FETKY-30V MOSFET 19.4mOhms 14nC
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工厂包装数量 | 95 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| 栅极电荷 | 14 nC |
| 开通延迟时间 | 16 ns |
| 输出功能 | 增强 |
| 晶体管类型 | 单 |
| 关断延迟时间 | 55 ns |
| 供电电压 | 30 V |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 19.4 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.4V |
| 平均正向功率 | 2.5 W |
| 最大功耗 | 2500 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 30 V |
| 导通电阻（最大） | 32.5 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±20 V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1110 pF @ 25 V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 9.2 A |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 3.99mm |
| 高度 | 1.57mm |
| 长度 | 4.98mm |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 8 |
| 封装形式 | SO-8 |
| 包装数量 | SOIC |
| 尺寸/外形 | 4.98 x 3.99 x 1.57mm |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 系列 | HEXFET |
| 功能 | Y |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | P |
| 制造商全称 | Infineon / IR |
| 卡标准 | 功率 MOSFET |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | 150 °C |

## 数据手册

- [Datasheet](http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf9333pbf.pdf)
- [IRF9333PBF](http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf9333pbf.pdf)

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