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# 元件详情：IRF8736PBF

- **型号**: IRF8736PBF
- **oneic 编号**: 173-IRF8736PBF
- **厂商**: Infineon Technologies AG
- **描述**: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET , 18 A, Vds=30 V, 8针 SOIC封装 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工厂包装数量 | 3800 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| 栅极电荷 | 17 nC |
| 开通延迟时间 | 12 ns |
| 输出功能 | 增强 |
| 晶体管类型 | Si |
| 关断延迟时间 | 13 ns |
| 供电电压 | 30 V |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 5 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.35V |
| 平均正向功率 | 2.5 W |
| 最大功耗 | 2.5 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 6.8 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±20 V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2315 pF@ 15 V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 18 A |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 宽度 | 4mm |
| 高度 | 1.5mm |
| 长度 | 5mm |
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 8 |
| 封装形式 | SO-8 |
| 包装数量 | SOIC |
| 尺寸/外形 | 5 x 4 x 1.5mm |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 系列 | HEXFET |
| 功能 | Y |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | N |
| 制造商全称 | Infineon Technologies |
| 卡标准 | 功率 MOSFET |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | +150 °C |

## 数据手册

- [Datasheet](http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf8736pbf.pdf)
- [IRF8736PbF](http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf8736pbf.pdf)
- [Datasheet](http://www.farnell.com/datasheets/28232.pdf)

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