BSC011N03LSATMA1

BSC011N03LSATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

规格参数

商业参数

参数
商标名OptiMOS
工厂包装数量5000
标准封装名称SON

合规参数

参数
RoHSRoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant

电气参数

参数
下降时间6.2 ns
最大栅源电压 Vgs20 V
栅极电荷96 nC
上升时间(典型)8.8 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟37 ns
通道数量1 Channel
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id1.2 V
击穿电压30
平均正向功率96 W
最大功耗2500
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 V
导通电阻(最大)900 uOhms
电流传输比(最小)85 S
开关时间(Ton, Toff)(最大)6.7 ns
峰值脉冲电流(10/1000µs)37
连续漏极电流(Id)@ 25°C100 A

机械参数

参数
宽度5.15 mm
高度1.27 mm
长度5.9 mm
包装方式Reel
引脚样式No Lead
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
封装形式TDSON-8
总长度5.15
包装数量TDSON EP
位数8
外壳尺寸-插件1

产品信息

参数
系列BSC011N03
技术Si
通道类型Enhancement
制造商全称Infineon Technologies
配置1 N-Channel
印刷电路板数量8

环境参数

参数
工作温度+ 150 C