IPD50N06S4L08ATMA1

IPD50N06S4L08ATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量2500
标准封装名称DPAK

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant
欧盟RoHSCompliant

电气参数

参数值
下降时间8 ns
最大栅源电压 Vgs16 V
栅极电荷64 nC
上升时间(典型)2 ns
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟45 ns
通道数量1 Channel
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id1.2 V
击穿电压60
平均正向功率71 W
最大功耗71000
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic60 V
导通电阻(最大)6.3 mOhms
开关时间(Ton, Toff)(最大)9 ns
峰值脉冲电流(10/1000µs)50
连续漏极电流(Id)@ 25°C50 A

机械参数

参数值
宽度6.22 mm
高度2.3 mm
长度6.5 mm
包装方式Reel
插片宽度Tab
引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
封装形式TO-252-3
总长度6.5
包装数量TO-252
位数3
外壳尺寸-插件2.3

产品信息

参数值
系列XPD50N06
技术Si
通道类型N
制造商全称Infineon Technologies
配置1 N-Channel
印刷电路板数量2

环境参数

参数值
工作温度+ 175 C