DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Diodes Incorporated

MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6 MOSFET Dual N-Ch Enh FET 24V 8Vgss 0.7W

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量3000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
FET类型Standard
最大栅源电压 Vgs1.5V @ 250µA
最大功率700mW
晶体管类型N-Channel
通道数量2 Channel
漏源电压(Vdss)24V
连续漏极电流(Id)@ 25°C11A

机械参数

参数值
包装方式Reel

产品信息

参数值
系列DMN2010
技术Si
制造商全称Diodes Incorporated