---
source: huluic.cn
data_as_of: 2026-10-24T17:43:23.059Z
max_staleness: 1h
cached: false
source_url: https://huluic.cn/product/diodes-incorporated/DMHC3025LSDQ-13/zGELaWOr
---

# 元件详情：DMHC3025LSDQ-13

- **型号**: DMHC3025LSDQ-13
- **oneic 编号**: 110-DMHC3025LSDQ-13
- **厂商**: Diodes Incorporated
- **描述**: MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC MOSFET 30V Comp Enh FET H-Bridge 2xN 2xP
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工厂包装数量 | 2500 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | Standard |
| 下降时间 | 8.7 ns, 13.5 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷 | 11.7 nC, 11.4 nC |
| 最大功率 | 1.5W |
| 上升时间（典型） | 15 ns, 4.9 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel, P-Channel |
| 首抽头延迟 | 17.5 ns, 28.2 ns |
| 通道数量 | 4 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1 V, - 2 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 5A, 10V |
| 平均正向功率 | 1.5 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V, - 30 V |
| 导通电阻（最大） | 19 mOhms, 43 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 11.7nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 590pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 6A, 4.2A |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 包装方式 | Reel |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SO-8 |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 系列 | DMHC3025 |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | Diodes Incorporated |
| 配置 | 2 N-Channel, 2 P-Channel |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | + 150 C |

## 实时报价

> 报价接口（需 API Key）：`https://r.huluic.cn/v2/offers/DMHC3025LSDQ-13`

> 现货购买：[huluic.cn 产品页](https://huluic.cn/product/diodes-incorporated/DMHC3025LSDQ-13/zGELaWOr?utm_source=huluic&utm_medium=md&utm_campaign=geo)

---
数据来源：[huluic.cn](https://huluic.cn)