DMHC3025LSDQ-13

DMHC3025LSDQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC MOSFET 30V Comp Enh FET H-Bridge 2xN 2xP

规格参数

商业参数

参数值
工厂包装数量2500

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
FET类型Standard
下降时间8.7 ns, 13.5 ns
最大栅源电压 Vgs2V @ 250µA
栅极电荷11.7 nC, 11.4 nC
最大功率1.5W
上升时间(典型)15 ns, 4.9 ns
晶体管类型N-Channel, P-Channel
首抽头延迟17.5 ns, 28.2 ns
通道数量4 Channel
Vgs(th)(最大)@ Id1 V, - 2 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs25 mOhm @ 5A, 10V
平均正向功率1.5 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 V, - 30 V
导通电阻(最大)19 mOhms, 43 mOhms
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs11.7nC @ 10V
漏源电压(Vdss)30V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds590pF @ 15V
连续漏极电流(Id)@ 25°C6A, 4.2A

机械参数

参数值
包装方式Reel
安装样式SMD/SMT
封装形式SO-8

产品信息

参数值
系列DMHC3025
技术Si
通道类型Enhancement
制造商全称Diodes Incorporated
配置2 N-Channel, 2 P-Channel

环境参数

参数值
工作温度+ 150 C