DMN2004K-7

DMN2004K-7

Diodes Incorporated

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R N-CH MOS-FET+ESD 20V 1,5A SOT23 MOSFET N-CH 20V 540MA SOT23-3 MOSFET 20V 540mA MOSFET, N CH, 20V, 0.54A, SOT-23

规格参数

商业参数

参数
最小起订量3000
单位包装3000
其他名称DMN2004KDICT
产品类别MOSFET
标准包装数量Cut Tape, Tape & Reel
工厂包装数量3000
标准封装名称SOT-23

合规参数

参数
RoHSLead free / RoHS Compliant
SVHC:No SVHC (16-Dec-2013)
欧盟RoHSCompliant
海关税号85412100
抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数
FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
最大栅源电压 Vgs±8 V
FET特性Logic Level Gate
最大功率350mW
噪声系数Not Required dB
额定功率350 mW
额定输出功率Not Required dB
下降时间(典型)37.6 ns
最大频率Not Required MHz
晶体管类型N-Channel
首抽头延迟59.4 ns
元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id1V @ 250µA
击穿电压20 V
阈值电压:1.6V
最大额定电流:540mA
导通电阻 RDS(On):550mohm
触点电压(最大):20V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs550@4.5V mOhm
最大功耗:350mW
传播延迟(最大)8.4 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic20 V
漏电流(最大)0.63 A
每端口功率(瓦)0.35W
导通电阻(最大)0.55 ohm
供电电压 (Vcc/Vdd)20V
开关时间(Ton, Toff)(最大)5.7 ns
Vce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)20V
峰值脉冲电流(10/1000µs)0.63 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 8 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)1.5A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds150pF @ 16V
连续漏极电流(Id)@ 25°C630mA (Ta)

机械参数

参数
宽度1.3
重量0.000008
包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing
端接方式:SMD
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
引脚数:3
封装形式3SOT-23
冷却的封装SOT-23
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
总长度2.9
包装数量SOT-23
位数3
外壳尺寸-插件1
供应商器件封装SOT-23-3

产品信息

参数
类型Small Signal
已删除Compliant
极性N-CHANNEL
匹配码DMN2004K
通道类型Enhancement
配置Single
标准交期11 weeks
印刷电路板数量3

环境参数

参数
工作温度-65 to 150 °C