DDA114EU-7-F
Diodes Incorporated
PRE-BIASED TRANSISTOR, DUAL PNP, SOT363 Trans Digital BJT PNP 100mA 6-Pin SOT-363 T/R DDA114EU-7-F PREBIASED TRANS.R1=R2 PNP 200MWOHMSOHMS TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT363 Transistors Switching - Resistor Biased DUAL PNP 200mW PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-363 DUAL SURFACE MOUNT TRANSI... Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 200mW
规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 1 |
| 单位包装 | 0 |
| 其他名称 | DDA114EU-FDICT |
| 产品类别 | Transistors Switching - Resistor Biased |
| 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 标准封装名称 | SOT-26 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最大功率 | 200mW |
| 额定功率 | 0.2 W |
| 晶体管类型 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 供电电压 | 50V |
| 电阻值（欧姆） | R1=R2 |
| 基极电阻（R1） | 10k |
| 过渡频率 | 250MHz |
| 平均正向功率 | 0.2 W |
| 最大功耗 | 200 |
| 电阻匹配比 | 1 |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 发射极-基极电阻（R2） | 10k |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 初始电阻（最小） | 10k |
| 集电极截止电流（最大） | 500nA |
| 集电极脉冲电流 (Icm) | 100 mA |
| 跳闸后电阻（R1）（最大） | 10k |
| 共模瞬态抗扰度（最小） | Commercial |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 30@5mA@5V |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 1.35(Max) |
| 高度 | 1 mm |
| 长度 | 2.2 mm |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 冷却的封装 | SOT-363 |
| 总长度 | 2.2(Max) |
| 包装数量 | SOT-363 |
| 位数 | 6 |
| 外壳尺寸-插件 | 1(Max) |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | PNP |
| 系列 | DDA114 |
| 制造商全称 | Diodes Incorporated |
| 配置 | Dual |
| 印刷电路板数量 | 6 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | Military |