规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 3000 |
| 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | DMN100-FDICT |
| 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 标准封装名称 | SOT-23 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412100 |
| 汽车级 | AEC-Q(101) |
| 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 下降时间 | 15 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | �20 V |
| FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 500mW |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 500 mW |
| 额定输出功率 | Not Required dB |
| 最大频率 | Not Required MHz |
| 上升时间（典型） | 15 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 25 ns |
| 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3V @ 1mA |
| 击穿电压 | 30 |
| 阈值电压 | :3V |
| 最大额定电流 | :4A |
| 导通电阻 RDS(On) | :240mohm |
| 触点电压（最大） | :30V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 0.17Ohm |
| 最大功耗 | :500mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 漏电流（最大） | 1.1 A |
| 每端口功率（瓦） | 0.5W |
| 导通电阻（最大） | 0.24 ohm |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 30V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 5.5nC @ 10V |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 1.1 |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 1.1A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 150pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 1.1A (Ta) |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 宽度 | 1.7(Max) |
| 重量 | 0.000013 |
| 包装方式 | Tape and Reel |
| 端接方式 | :SMD |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | SC59 |
| 冷却的封装 | SC-59 |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 总长度 | 3.1(Max) |
| 包装数量 | SC-59 |
| 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.3(Max) |
| 供应商器件封装 | SC-59-3 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Small Signal |
| 极性 | N CHANNEL |
| 匹配码 | DMN100 |
| 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 标准交期 | 14 weeks |
| 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | - 55 C |