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# 元件详情：DMHC3025LSD-13

- **型号**: DMHC3025LSD-13
- **oneic 编号**: 110-DMHC3025LSD-13
- **厂商**: Diodes Incorporated
- **描述**: MOSFET 2N+2P 30V 8SOIC MOSFET BVDSS: 25V~30V 2.5K MOSFET 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS 30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE H-Bridge MOS 30V 6A 25mOhm SO-8
- **分类**: 分立半导体元件 / IGBT / 分立IGBT

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 最小起订量 | 2500 |
| 单位包装 | 2500 |
| 其他名称 | DMHC3025LSD-13DICT |
| 标准包装数量 | 2,500 |
| 工厂包装数量 | 2500 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 汽车级 | NO |
| 无铅定义 | RoHS-conform |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| FET类型 | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| 下降时间 | 8.7 ns, 13.5 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 2V @ 250µA |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 5.4 nC, 5.5 nC |
| 最大功率 | 1.5W |
| 额定功率 | 1.5 W |
| 上升时间（典型） | 15 ns, 4.9 ns |
| 晶体管类型 | N and P-Channel |
| 首抽头延迟 | 17.5 ns, 28.2 ns |
| 通道数量 | 4 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 二极管配置 | NO |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 5A, 10V |
| 平均正向功率 | 1.5 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V, - 30 V |
| 逻辑电压 - VIL, VIH | NO |
| 每端口功率（瓦） | 1.5 W |
| 导通电阻（最大） | 40 mOhms, 80 mOhms |
| 空闲电流，典型值 @ 25°C | 6 A |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 30 V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 11.7nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 6 A, - 4.2 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 590pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 6A, 4.2A |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 系列 | DMHC3025 |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | Diodes Incorporated |
| 配置 | Dual |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | - 55 C |
| 热阻 @ GPM | 14.5 K/W |

## 实时报价

> 报价接口（需 API Key）：`https://r.huluic.cn/v2/offers/DMHC3025LSD-13`

> 现货购买：[huluic.cn 产品页](https://huluic.cn/product/diodes-inc/DMHC3025LSD-13/zoKK1E4z?utm_source=huluic&utm_medium=md&utm_campaign=geo)

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数据来源：[huluic.cn](https://huluic.cn)