DMHC3025LSD-13

DMHC3025LSD-13

Diodes Incorporated

MOSFET 2N+2P 30V 8SOIC MOSFET BVDSS: 25V~30V 2.5K MOSFET 30V Comp ENH Mode H-Bridge 20V VGSS 30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE H-Bridge MOS 30V 6A 25mOhm SO-8

规格参数

商业参数

参数值
最小起订量2500
单位包装2500
其他名称DMHC3025LSD-13DICT
标准包装数量2,500
工厂包装数量2500

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant
汽车级NO
无铅定义RoHS-conform

电气参数

参数值
FET类型2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
下降时间8.7 ns, 13.5 ns
最大栅源电压 Vgs2V @ 250µA
FET特性Logic Level Gate
栅极电荷5.4 nC, 5.5 nC
最大功率1.5W
额定功率1.5 W
上升时间(典型)15 ns, 4.9 ns
晶体管类型N and P-Channel
首抽头延迟17.5 ns, 28.2 ns
通道数量4 Channel
Vgs(th)(最大)@ Id2V @ 250µA
二极管配置NO
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs25 mOhm @ 5A, 10V
平均正向功率1.5 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 V, - 30 V
逻辑电压 - VIL, VIHNO
每端口功率(瓦)1.5 W
导通电阻(最大)40 mOhms, 80 mOhms
空闲电流,典型值 @ 25°C6 A
供电电压 (Vcc/Vdd)30 V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs11.7nC @ 10V
漏源电压(Vdss)30V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)6 A, - 4.2 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds590pF @ 15V
连续漏极电流(Id)@ 25°C6A, 4.2A

机械参数

参数值
包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
封装形式8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SO

产品信息

参数值
系列DMHC3025
技术Si
通道类型Enhancement
制造商全称Diodes Incorporated
配置Dual

环境参数

参数值
工作温度- 55 C
热阻 @ GPM14.5 K/W