规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 最小起订量 | 2500 |
| 单位包装 | 2500 |
| 其他名称 | DMC3025LSD-13DICT |
| 标准包装数量 | 2,500 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| 抗辐射加固 | No |
| ESD保护 | N |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | N and P-Channel |
| 下降时间 | 5.8 ns, 12.4 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | �20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 4.6 nC, 5.1 nC |
| 最大功率 | 1.2W |
| 额定功率 | 1.2 W |
| 上升时间（典型） | 4.2 ns, 4.9 ns |
| 晶体管类型 | N and P-Channel |
| 首抽头延迟 | 16.6 ns, 28.4 ns |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 元件数量 | 2 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 7.4A, 10V |
| 平均正向功率 | 1.2 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V, - 30 V |
| 导通电阻（最大） | 15 mOhms, 38 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 9.8nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 6.5 A, - 4.2 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 501pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 6.5A, 4.2A |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 冷却的封装 | SO |
| 位数 | 8 |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 类型 | Power MOSFET |
| 系列 | DMC3025 |
| 极性 | N/P |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | Diodes Incorporated |
| 配置 | Dual |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | - 55 C |