规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品类别 | Transistors Bipolar - BJT |
| 工厂包装数量 | 500 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | In Transition |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 供电电压 | 80 V |
| Vce饱和电压（最大） | 0.6 V |
| 增益带宽积 | 2 MHz |
| 平均正向功率 | 6000 mW |
| 最大功耗 | 6000 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 100 V |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 6 V |
| 集电极截止电流（最大） | 3 A |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 30 |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Bulk |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-39 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 系列 | 2N4239 |
| 制造商全称 | Central Semiconductor |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | - 65 C |