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# 元件详情：NE85633-T1B-R25-A

- **型号**: NE85633-T1B-R25-A
- **oneic 编号**: 440-NE85633-T1B-R25-A
- **厂商**: California Eastern Laboratories
- **描述**: Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 Transistors RF Bipolar NPN High Frequency RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
- **分类**: 分立半导体元件 / 分立半导体 / 触发二极管

## 规格参数

### 商业参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 其他名称 | NE85633-T1B-R25-ACT |
| 产品类别 | Transistors RF Bipolar |
| 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 |

### 合规参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant |

### 电气参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 增益 | 9dB |
| 频率 | 1 GHz |
| 最大功率 | 200mW |
| 额定功率 | 0.2 W |
| 最大频率 | 1 GHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 供电电压 | 12V |
| 过渡频率 | 7GHz |
| 增益带宽积 | 7 GHz |
| 平均正向功率 | 0.2 W |
| 噪声系数（dB典型值 @ f） | 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 3 V |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 集电极截止电流（最大） | 0.1 A |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |

### 机械参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |

### 产品信息

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 技术 | Si |
| 制造商全称 | CEL |
| 配置 | Single |

### 环境参数

| 参数 | 值 |
| --- | --- |
| 工作温度 | - 65 C |

## 数据手册

- [NE856 Series](http://www.cel.com/pdf/datasheets/ne856.pdf)
- [Datasheet](http://www.cel.com/pdf/datasheets/ne85633.pdf)

## 实时报价

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