NE85633-T1B-R25-A

NE85633-T1B-R25-A

California Eastern Laboratories

Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 Transistors RF Bipolar NPN High Frequency RF Bipolar Transistors NPN High Frequency

规格参数

商业参数

参数值
其他名称NE85633-T1B-R25-ACT
产品类别Transistors RF Bipolar
标准包装数量3,000
工厂包装数量3000

合规参数

参数值
RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

参数值
增益9dB
频率1 GHz
最大功率200mW
额定功率0.2 W
最大频率1 GHz
晶体管类型NPN
供电电压12V
过渡频率7GHz
增益带宽积7 GHz
平均正向功率0.2 W
噪声系数(dB典型值 @ f)1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic3 V
集电极电流(Ic)(最大)100mA
集电极截止电流(最大)0.1 A
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V

机械参数

参数值
包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
封装形式TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

产品信息

参数值
类型RF Bipolar Small Signal
技术Si
制造商全称CEL
配置Single

环境参数

参数值
工作温度- 65 C