NE85630-R25-A

NE85630-R25-A

California Eastern Laboratories

Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323 Transistors RF Bipolar NPN High Frequency RF Bipolar Transistors NPN High Frequency

规格参数

商业参数

参数值
产品类别Transistors RF Bipolar
标准包装数量1
工厂包装数量1

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
增益6dB ~ 12dB
最大功率150mW
额定功率150 mW
晶体管类型NPN
供电电压12V
过渡频率4.5GHz
平均正向功率150 mW
噪声系数(dB典型值 @ f)1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
集电极电流(Ic)(最大)100mA
集电极截止电流(最大)0.1 A
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce40 @ 7mA, 3V

机械参数

参数值
包装方式Bulk
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
封装形式SC-70, SOT-323
供应商器件封装SOT-323

产品信息

参数值
类型RF Bipolar Small Signal
技术Si
制造商全称CEL
配置Single