NE851M33-T3-A

NE851M33-T3-A

California Eastern Laboratories

Transistors RF Bipolar Small Signal NPN High Frequency TRANSISTOR NPN 2GHZ M33 Transistors RF Bipolar NPN High Frequency

规格参数

商业参数

参数值
产品类别Transistors RF Bipolar
标准包装数量10,000
工厂包装数量10000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
最大功率130mW
额定功率130 mW
晶体管类型NPN
供电电压5.5V
过渡频率4.5GHz
噪声系数(dB典型值 @ f)1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
集电极电流(Ic)(最大)100mA
集电极截止电流(最大)0.1 A
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 1V

机械参数

参数值
包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT
封装形式3-SMD, Flat Leads
供应商器件封装3-SuperMiniMold (M33)

产品信息

参数值
类型RF Bipolar Small Signal
配置Single