NE68133-T1B-R33-A

NE68133-T1B-R33-A

California Eastern Laboratories

Transistors RF Bipolar Small Signal NPN Silicon AMP Oscilltr Transist TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT-23 Transistors RF Bipolar NPN Silicon AMP Oscilltr Transist

规格参数

商业参数

参数值
产品类别Transistors RF Bipolar
标准包装数量3,000
工厂包装数量3000

合规参数

参数值
RoHSRoHS Compliant

电气参数

参数值
增益13dB
最大功率200mW
晶体管类型NPN
供电电压10V
过渡频率9GHz
噪声系数(dB典型值 @ f)1.2dB @ 1GHz
集电极电流(Ic)(最大)65mA
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce50 @ 7mA, 3V

机械参数

参数值
包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
封装形式TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23

产品信息

参数值
类型RF Bipolar Small Signal
配置Single