规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品类别 | MOSFET |
| 工厂包装数量 | 50 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | No |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 额定功率 | 500 mW |
| 晶体管类型 | P-Channel |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 180 Ohms |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 12 V |
| 电流传输比（最小） | 0.004 S |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | - 13.2 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | - 16 mA |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 重量 | 0.017058 oz |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | PDIP-8 |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 系列 | ALD1102P |
| 配置 | Dual |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | 0 C |