规格参数
商业参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 商标名 | EPAD |
| 标准包装数量 | 50 |
| 工厂包装数量 | 50 |
合规参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
电气参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| 最大栅源电压 Vgs | 10.6 V |
| FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 500mW |
| 额定功率 | 500 mW |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 10 ns |
| 通道数量 | 2 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 20mV @ 10µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 14 Ohms |
| 平均正向功率 | 500 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 10 V |
| 导通电阻（最大） | 14 Ohms |
| 漏源电压（Vdss） | 10.6V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 10.6 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 79 mA |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 79mA, 85µA |
机械参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | PDIP-8 |
| 供应商器件封装 | 8-PDIP |
产品信息
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 系列 | * |
| 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | Advanced Linear Devices |
| 配置 | Dual |
环境参数
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 工作温度 | 0 C |