资讯
兼容C3D02065E，碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源(2023-08-16)
显示屏体正常显示。肖特基二极管整流器因具有极快的开关速度、超低的正向电压降、极低的反向恢复时间、低泄漏和高结温能力而深受设计师们的喜爱。本文介绍了基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D02065E在LED显示屏驱动电源中的......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块(2024-07-04)
，半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电动......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块(2024-07-04 09:41)
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块;近日，半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源......
车充电一般原理图
据此，本文提到基本半导体的碳化硅肖特基二极管B1D05120K，具有高效率、无开关损耗、低散热器要求和并联设备无热失控现象等优点，起到整流作用，可应用于开关电源（SMPS）等领......
碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用(2023-03-20)
有效缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本等。
02 碳化硅肖特基在光伏逆变器中的应用优势
对比硅的快恢复，碳化硅肖特基二极管在BOOST电路中的应用具有很大的优势，由于碳化硅肖特基二极管是肖特基......
对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效(2023-10-24)
不能满足车载充电机日益增长的性能需求，而高耐压、低损耗且具有高速开关特性的SiC器件，正逐步取代Si器件，成为车载充电机的主流应用。
下面我们以6.6kW车载充电机为例，介绍基本半导体的SiC肖特基二极管......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;
【导读】日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求(2024-06-15)
)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H-Q)，并采用真双引脚(R2P) DPAK (TO-252-2)封装，适用于电动汽车和其他汽车中的多种应用。此外，为了进一步扩展其SiC二极管......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低
美国 宾夕......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管(2024-07-02)
硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-06-28)
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低
美国 宾夕......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求(2024-06-13)
高设计灵活性。这些二极管解决了要求高电压和高电流的应用的挑战，包括开关电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、电机驱动器、不间断电源以及用于可持续能源生产的光伏逆变器。
这些器件采用合并PiN肖特基......
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
频率或者采用dead time更小的MOS驱动芯片，或者外部并联肖特基二极管，减小VSD。
体二极管导通压降损耗
我们来比较因体二极管的正向压降Vf引起的损耗与理想4 mohm的......
交流耦合视频驱动程序的直流恢复电路(2024-07-17)
源的交流耦合输出必须使用直流恢复或箝位电路箝位至基准直流电压。使用交流耦合时，最大限度地减小电源需求的一种方法是使用肖特基二极管进行直流箝位，如图1所示。在此应用中使用肖特基二极管比普通硅或锗二极管具有显著的优点。肖特基二极管具有低正向电压和快速恢复或开关......
意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以提高效率和功率密度(2024-04-02)
意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以提高效率和功率密度;目标应用包括电信设备、服务器和智能表计的电源，以及LED车灯或汽车低压DC/DC转换器
2024 年 4 月 2 日......
如何防止锂电池反充(2023-10-07)
输入中添加串联肖特基二极管。外部二极管用于在内部 MOSFET 和串联电阻发生故障时提供保护。图 2 显示了带有外部保护二极管的实际电路。（请注意，高值串联电阻器将提供类似的保护，但会......
TI推出支持业界最低功耗的智能旁路二极管SM74611(2013-03-18)
列包括适用于太阳能微型逆变器的 UCD3138 数字电源控制器、SM72441 最大功率点跟踪控制器以及 SM72295 全桥驱动器。
SM74611 智能旁路二极管的主要特性与优势
·比肖特基二极管......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-07-01 09:46)
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;
器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低日前，威世......
意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以提高效率和功率密度(2024-04-02)
人员开始提高功率转换器的工作频率，不断刷新功率密度。不过，当开关频率变得更高时，用作整流器的传统平面二极管(包括硅肖特基器件)的能量损耗也会随之变大，严重限制了转换能效的改进。
ST的沟槽肖特基二极管......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
坏图
首先，肖特基二极管与 mos 管 源极串联，肖特基二极管可防止 mos 管体二极管被续流电流正向偏置。其次，高速（快速恢复）二极管并联到 mos 管/肖特基对，以便......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求(2024-06-13 09:58)
A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H-Q)，并采用真双引脚(R2P) DPAK (TO-252-2)封装，适用于电动汽车和其他汽车中的多种应用。此外，为了进一步扩展其SiC......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
（SBD）是2001年上市的第一款商用碳化硅功率器件。SBD是SiC材料和肖特基二极管结构的组合，是Si PIN二极管的完美替代品。SBD优于Si PIN二极管的最重要特性是其快速反向恢复特性。它不......
PCB开关电源设计技巧(2024-05-06)
以使用铜平面的两侧，并可以使用公共通孔连接这两侧。
下图是在底层创建的肖特基二极管的 PCB 散热器示例。
底层创建的肖特基二极管的 PCB 散热器示例
紧接在肖特基二极管之后的滤波电容需要非常靠近变压器或开关电......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20)
SiC肖特基二极管设计电源的数据中心将更加符合严格的能源效率标准。
PSC1065K具备不受温度影响的电容开关和零恢复性能，提供先进的性能以及出色的品质因数(QC x VF)。其突出的开关性能几乎不受电流和开关......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23 15:21)
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低日前，Vishay......
浅析太阳能草坪灯系统设计方案(2024-09-10)
也能够使DC-DC电路工作正常，但是会降低DC-DC转换器5％～10％的效率，所以D3采用正向导通电压较低、反应时间较短的肖特基二极管lN5817。
2.3光控电路
超级电容器太阳能草坪灯需要光控开关电......
三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造，贯通碳化硅器件产品线(2020-12-03)
减小了器件的散热需求，使系统朝着小型化，轻量化，集成化的方向发展。这对“寸土寸金”的电源系统来说至关重要，比如新能源车载充电器OBC、服务器电源等。
从碳化硅肖特基二极管到MOSFET，三安集成在3年时......
40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调(2023-10-26)
满足100kHz以上高频脉冲的整流，对整流二极管的反向恢复时间、电流有很高的性能要求。
基本半导体的高性能碳化硅肖特基二极管，可以实现高频整流，开关损耗非常低。下面以一个常用的40A/1200V的碳化硅肖特基二极管......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20)
，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池......
ADALM2000测量二极管动态特性(2024-12-14)
10kHz，可以看到单向导通特性出现了一些变化。将三角波的频率提高到 100kHz，可以观察到二极管在反向电压下，出现了恢复电流。将二极管替换成肖特基二极管。在同样的频率下，肖特基二极管......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
反向恢复CoolSiC肖特基二极管共封装，在开关速度超过50 kHz时的开关损耗极低。这使得该器件成为大功率充电系统的上佳之选。此外，坚固耐用的第5代 CoolSiC肖特基二极管......
意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以提高效率和功率密度(2024-04-02 14:33)
意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以提高效率和功率密度;目标应用包括电信设备、服务器和智能表计的电源，以及LED车灯或汽车低压DC/DC转换器意法半导体推出可提升高开关......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20 11:10)
碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC......
SiC功率半导体技术如何助力节碳减排？(2023-03-29)
MOSFET与集成SBD的SiC MOSFET结构相比，MCR结构也有一些突出优势。比如，传统改善体二极管特性的方式是单片集成肖特基二极管，但肖特基势垒不具备温度稳定性，在高温高电场的作用......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
TRENCHSTOP 5 650 V IGBT与零反向恢复CoolSiC肖特基二极管共封装，在开关速度超过50 kHz时的开关损耗极低。这使......
防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路(2024-09-14 14:51:48)
有大电流经过的时候就会发热 功率比较高。（一般选用 肖特基二极管导通压降比较低 也要考虑反向电压）
2.保险丝和二极管（稳压二极管）防反接
二极管......
RS瑞森半导体超结MOS在适配器上的应用(2023-08-15)
结MOS：RS65R190F/RSF65R190F*2，碳化硅肖特基二极管：RSS04065A/RSS04065B;
（备注:RSF***系列内置FRD系列）
瑞森半导体超结MOS推荐如下产品选型表：
......
氧化镓半导体器件，中国再获重要进展(2022-12-14)
电荷浓度的器件击穿特性比较。（c）封装器件反向恢复特性测试电路。（d）与已报道的氧化镓肖特基二极管的性能比较。
氧化镓光电探测器
光电探测器在目标跟踪、环境监测、光通信、深空探索等诸多领域发挥着越来越重要的作用......
基础知识之二极管(2024-03-20)
导体端的端子叫做阴极。 电流只能从阳极流到阴极，从阴极到阳极几乎没有电流流过。 这个效果叫整流效果，换句话说，就是把交流变换直流的作用。
4. 二极管就是开关
二极管的作用直说就是开关，电流的开关。把电......
针对车载充电机的二次侧整流部分推荐基本半导体的1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC（替代科锐C4D30120D），该二极管是以AEC-Q101为标准、支持车载的碳化硅肖特基二极管，可降低开关损耗，可高速开关......
Boost升压电路原理及设计详解(2024-12-11 18:15:28)
续模式输出电压的大小只取决于输入电压和占空比。
输出滤波电容的选择
在开关电源中，输出电容的作用......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用(2024-06-13)
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用;Nexperia近日宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H......
的元器件过多，就无法实现高效率、小体积设计。
通常传统的SiC器件由于其反向恢复和开关频率的限制，已经不能满足车载充电机对效率的需求，文本针对车载充电机的PFC升压部分讲到基本半导体650V的SiC肖特基二极管......
学子专区—ADALM2000实验：有源整流器(2023-05-12)
高的正向电压。二极管的该正向压降与交流电源串联，这会降低潜在的直流输出电压。此外，该压降与通过二极管提供的电流的乘积意味着功耗和发热量可能相当大。
肖特基二极管的较低正向电压是对标准二极管的改进。但是，肖特基二极管......
CoolSi 肖特基二极管—IDH08G65C6(2023-10-12 15:12)
CoolSi 肖特基二极管—IDH08G65C6;
极高的效率和性价比
CoolSiC™ 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术，充分......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
体 (ms)
结或肖特基势垒。这提供了低传导压降、高开关速度和低噪声。肖特基二极管用于控制电路内电流的方向，使其仅从阳极流向阴极。当肖特基二极管处于无偏置状态时，自由电子将从
n 型半......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
和系统成本的要求。”
这款混合分立器件采用快速硬开关TRENCHSTOP 5 650 V IGBT与零反向恢复CoolSiC肖特基二极管共封装，在开关速度超过50 kHz时的开关损耗极低。这使......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04 10:27)
和系统成本的要求。”这款混合分立器件采用快速硬开关TRENCHSTOP 5 650 V IGBT与零反向恢复CoolSiC肖特基二极管共封装，在开关速度超过50 kHz时的开关损耗极低。这使......
基础回顾：电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管(2024-06-03)
货FET来驱动LED。
我们通常所说的“续流二极管”由于在电路中起到续流的作用而得名，一般选择快速恢复二极管或者肖特基二极管来作为“续流二极管”，它在电路中一般用来保护元件不被感应电压击穿或烧坏，以并......
8月新品推荐：热感相机、高压MCU、IGBT、保险丝、电感器(2021-08-30)
逆变器、不间断电源系统(UPS)，以及服务器和电信用开关电源(SMPS)。
由于续流SiC肖特基二极管与IGBT在共同封装中，在dv/dt和di/dt值几乎不变情况下，CoolSiC Hybrid......
相关企业
）等场效应管，特约经销（安森美）快恢复，肖特基二极管等，（超快恢复二极管），POWER(PI)开关三极管等。欢迎至电，传真垂询！
;深圳艾科实业有限公司;;艾科实业香港(深圳)有限公司是台湾统懋(MOSPEC)/亚昕(YS)/佰鸿(BRIDGELED)等著名半导体品牌大陆一级总代理.产品包括快恢复二极管/超快恢复二极管/肖特基二极管
;深圳诚桩电子;;场效应管MOSFET,IGBT,电源驱动IC,快恢复二极管，肖特基二极管，SMD元件！
;杭州丽日电子有限公司;;稳压管，开关管，整流二极管，肖特基二极管，瞬变管，桥式整流器，贴片，二三极管
;汕头鑫威电子有限公司;;长期供应拆机场效应管，快恢复二极管，肖特基二极管，整流二极管， 三极管，电解电容，安规电容，CBB电容，涤纶电容，整流桥堆，集成电路等拆机系列电子元件,品种齐全，一手
;深圳市洲盛电子有限公司;;深圳市洲盛电子有限公司专业 IR（国际整流器公司）、ON（安森美）、Fairchild（仙童）系列：场效应管MOSFET，IGBT，电源驱动IC，快恢复二极管，肖特基二极管
;深圳诚桩电子有限公司;;场效应管MOSFET,IGBT,电源驱动IC,快恢复二极管，肖特基二极管，SMD元件！
~ 36 伏特 保护用瞬态电压抑制二极管TVS400 ~ 5000瓦特5 ~ 376伏特 场效应管MOSFET0.2瓦特60伏特 小信号开关二极管0.2 ~ 0.5瓦特50 ~ 350伏特 小信号肖特基二极管
生产线，月产量整流系列90KK。主要设备为二极管一贯机6台、封装压模机4台、进口测试仪表20余台. 主要产品有:各类硅塑封整流二极管、开关二极管、高效率二极管、触发二极管、肖特基二极管、节能灯专用二极管
钝化芯片生产线和SMD系列封装生产线。通过汽车电子TS-16949质量体系认证，具备AEC-Q101测试能力，可提供专业汽车级的产品系列。 公司产品涵盖整流二极管、肖特基整流二极管(低VF值贴片肖特基二极管