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碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用(2023-03-20)
已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。以下是基本半导体自主研发的适用于1000V、1500V光伏逆变器系统的碳化硅肖特基二极管型号：
表1 基本半导体碳化硅肖特基二极管......
基本半导体1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机;车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC-750VDC......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20)
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应......
功耗低。
B1D10065F封装TO-263-2
基本半导体碳化硅肖特基二极管的低开关损耗和高开关频率可达MHz特性，可无限的将PFC效率提升至99%以上。B1D10065F可替代罗姆的SCS210AJ......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20)
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管;
【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管......
Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围(2022-10-13)
了现代汽车和工业应用持续增长的需求基础半导体器件领域的高性能生产专家Nexperia今天宣布推出其快速扩展的铜夹片FlatPower (CFP)封装二极管系列的最新产品，主要应用于工业和汽车领域。此最新产品含有32个平面肖特基二极管以及8个超快速恢复整流二极管，均封装......
兼容C3D02065E，碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源(2023-08-16)
兼容C3D02065E，碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源;LED显示屏是一种迅速发展起来的新型信息显示媒体，凭借智能控制、节能环保、寿命长、光效高、安全可靠等优点，其使......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20 11:10)
小的外形尺寸实现更高的效率。Nexperia作为一系列高质量半导体技术产品的供应商，声誉良好，值得设计人员信赖。这款SiC肖特基二极管采用真2引脚(R2P) TO-220-2通孔电源塑料封装。其他封装......
、安森美的FFSP05120A。
综上所述，基本半导体的B1D05120K碳化硅肖特基二极管具有高频率、低损耗、小封装等优势，为电动车充电提供解决方案。
......
Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围(2022-10-12)
系列的最新产品，主要应用于工业和汽车领域。此最新产品含有32个平面肖特基二极管以及8个超快速恢复整流二极管，均封装在CFP15B中。包含通用型号和符合AEC-Q101车规标准的带Q的器件。通过......
TI推出支持业界最低功耗的智能旁路二极管SM74611(2013-03-18)
TI推出支持业界最低功耗的智能旁路二极管SM74611;TI推出一款采用标准表面贴装封装并支持 15A 电流处理功能与业界最低功耗的智能旁路二极管。与采用 3 个传统肖特基二极管......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求(2024-06-15)
提供采用TO-220-2、TO-247-2和D2PAK-2封装的额定电流为6 A、16 A和20 A的工业级器件，以提高设计灵活性。
符合汽车标准的肖特基二极管......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
反向恢复CoolSiC肖特基二极管共封装，在开关速度超过50 kHz时的开关损耗极低。这使得该器件成为大功率充电系统的上佳之选。此外，坚固耐用的第5代 CoolSiC肖特基二极管......
氧化镓半导体器件，中国再获重要进展(2022-12-14)
边缘电场，从而有效提高器件的耐压能力。
优化后的器件实现了2.9mΩ·cm2的低导通电阻和2.1kV的高击穿电压，其功率品质因数高达1.52GW/cm2。此外，利用该优化工艺成功制备并封装了大面积的氧化镓肖特基二极管......
英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V，直流母线电压最高可达1500 VDC，效率更高，设计更简单(2024-10-24 15:08)
TO247-4封装的CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5
该产品系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，间隙距离为5.4 mm，再加上高达80 A的额定电流，显著......
40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调(2023-10-26)
B2D40120HC1为例，其优势特征如下：
1、规格为40A/1200V的碳化硅肖特基二极管，采用TO-247-3封装，在Tc=150℃时其额定电流为40A。
2、可忽......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
混合分立器件采用快速硬开关TRENCHSTOP 5 650 V IGBT与零反向恢复CoolSiC肖特基二极管共封装，在开关速度超过50 kHz时的开关损耗极低。这使......
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品(2021-11-05)
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品;奈梅亨，2021年11月5日：基础半导体元器件领域的专家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块(2024-07-04 09:41)
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块;近日，半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块(2024-07-04)
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块;
【导读】近日，半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管(2024-07-02)
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管;
【导读】日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款新......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求(2024-06-13)
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P DPAK封装
奈梅亨，2024年6月13日：Nexperia今天......
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展(2022-12-13)
后的器件实现了2.9 mΩ·cm2的低导通电阻和2.1kV的高击穿电压，其功率品质因数高达1.52 GW/cm2。此外，利用该优化工艺成功制备并封装了大面积的氧化镓肖特基二极管，器件正向偏压2V下电......
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3－HP汽车平面肖特基二极管(2024-02-26)
封装的22种新型平面肖特基二极管产品组合。该产品组合包括11种工业产品以及11种符合AEC-Q101标准的产品。本次产品发布是为了支持制造商以更小尺寸的CFP封装器件取代SMx型封装......
LTC3544数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:09)
进一步延长了电池的使用寿命 (纹波通常仅为20mV)。
开关频率在内部设定为 2.25MHz，因而允许使用小的表面贴装型电感器和电容器。内部同步开关提高了效率，并免除了增设一个外部肖特基二极管的需要。利用......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-06-28)
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低
美国 宾夕......
LTC3405数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:21)
频率在内部设定为 1.5MHz，因而允许使用小的表面贴装型电感器和电容器。
内部同步开关提高了效率并免除了增设外部肖特基二极管的需要。利用 0.8V 反馈基准电压可容易地支持低输出电压。LTC3405 采用......
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3-HP汽车平面肖特基二极管(2024-02-26)
宣布，现可提供采用CFP3-HP封装的22种新型平面肖特基二极管产品组合。该产品组合包括11种工业产品以及11种符合AEC-Q101标准的产品。本次产品发布是为了支持制造商以更小尺寸的CFP封装......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
和系统成本的要求。”
这款混合分立器件采用快速硬开关TRENCHSTOP 5 650 V IGBT与零反向恢复CoolSiC肖特基二极管共封装，在开关速度超过50 kHz时的开关损耗极低。这使......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04 10:27)
和系统成本的要求。”这款混合分立器件采用快速硬开关TRENCHSTOP 5 650 V IGBT与零反向恢复CoolSiC肖特基二极管共封装，在开关速度超过50 kHz时的开关损耗极低。这使......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
强调了 SiC
二极管的一些特性。
与普通的 PiN
二极管不同，肖特基二极管没有恢复电流，因为它们是具有多数电荷载流子的单极元件。然而，它们确实表现出一些由封装......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求(2024-06-13 09:58)
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P DPAK封装Nexperia今天宣布，其一流的650 V、10......
交流耦合视频驱动程序的直流恢复电路(2024-07-17)
确设置输入共模电平，滤波器或驱动器输入需要一个钳位和偏置电路。
采用肖特基二极管的直流恢复
对视频设备的输出进行交流耦合时，直流内容会丢失。要恢复直流偏置电平，视频......
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3-HP汽车平面肖特基二极管(2024-02-27)
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3-HP汽车平面肖特基二极管;
【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布，现可提供采用CFP3-HP封装的22种新型平面肖特基二极管......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-07-01 09:46)
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;
器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低日前，威世......
LTC3405A-1.5数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:02)
-1.8 专为很好地配合陶瓷输出电容器工作而特别设计，可实现非常低的输出电压纹波和小的 PCB 引脚占位。
内部同步开关提高了效率并免除了增设外部肖特基二极管的需要。LTC3405A-1.5......
NIV3071 eFuse 在汽车应用中的优势(2024-04-23)
上述公式和图5，用户可以设置导通容性负载时的最大浪涌电流。下面的图6和图7提供了一个测试用例：
图6 浪涌电流控制测试用例
图7 测试用例的测量结果
大容性负载和肖特基二极管
对于较大的容性负载（和低......
LTC5505数据手册和产品信息(2024-11-11 09:21:21)
LTC5505数据手册和产品信息;LTC®5505-X 是一种用于 RF 应用工作频率范围为 300MHz 至 3.5GHz 的 RF 功率检波器。在一个小型的 5 引脚 ThinSOT 封装内集成了一个温度补偿肖特基二极管......
意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以提高效率和功率密度(2024-04-02)
关频率变得更高时，用作整流器的传统平面二极管(包括硅肖特基器件)的能量损耗也会随之变大，严重限制了转换能效的改进。
ST的沟槽肖特基二极管可显著降低整流器的能量损耗，正向......
LTC3405A数据手册和产品信息(2024-11-11 09:18:36)
频率在内部设定为 1.5MHz，因而允许使用小的表面贴装型电感器和电容器。LTC3405A 专为很好地配合陶瓷输出电容器工作而特别设计，可实现非常低的输出电压纹波和小的 PCB 引脚占位。
内部同步开关提高了效率并免除了增设外部肖特基二极管......
民德电子：全资子公司拟累计5.18亿元购买江苏联芯6英寸晶圆生产线设备(2022-07-06)
司2021年向特定对象发行股票项目，即碳化硅功率器件的研发和产业化项目、适用于新型能源供给的高端沟槽型肖特基二极管产能的提升及技术改进项目的实施主体。此次购买设备是为了保障募投项目顺利开展。
据此......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;
【导读】日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH......
CoolSi 肖特基二极管—IDH08G65C6(2023-10-12 15:12)
CoolSi 肖特基二极管—IDH08G65C6;
极高的效率和性价比
CoolSiC™ 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术，充分......
NIV3071 eFuse 在汽车应用中的优势(2024-04-23)
电流控制测试用例
图 7.测试用例的测量结果
大容性负载和肖特基二极管
对于较大的容性负载（和低电流直流负载），可以在输出和输入之间放置一个肖特基二极管，如图 8 所示，以在......
远翔FP6161：1A同步降压IC(2023-09-07)
电压范围：2.5至5.5V
➢精密反馈参考电压：0.6V（±2%）
➢输出电流：1A（最大）。
➢占空比：0~100%
➢内部固定PWM频率：1.5MHz
➢低静止电流：100μA
➢没有肖特基二极管......
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2023-05-23)
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低
美国 宾夕......
意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以提高效率和功率密度(2024-04-02)
人员开始提高功率转换器的工作频率，不断刷新功率密度。不过，当开关频率变得更高时，用作整流器的传统平面二极管(包括硅肖特基器件)的能量损耗也会随之变大，严重限制了转换能效的改进。
ST的沟槽肖特基二极管......
Nexperia扩展功率器件产品组合，新增标准和车规级理想二极管(2024-09-04)
，支持通过内部MOSFET的栅极电压来调节“阳极”到“阴极”之间的电压，与额定值类似的肖特基二极管相比，其正向压降低8到10倍。除正向压降很低以外，基于MOSFET的理想二极管还有助于将反向直流漏电流降低到典型肖特基二极管......
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
降低开关频率或者采用dead time更小的MOS驱动芯片，或者外部并联肖特基二极管，减小VSD。
体二极管导通压降损耗
我们来比较因体二极管的正向压降Vf引起的损耗与理想4 mohm的......
ADALM2000测量二极管动态特性(2024-12-14)
10kHz，可以看到单向导通特性出现了一些变化。将三角波的频率提高到 100kHz，可以观察到二极管在反向电压下，出现了恢复电流。将二极管替换成肖特基二极管。在同样的频率下，肖特基二极管......
相关企业
）优势产品： 品牌 型号 封装 规格 最小包装 备注 统懋（Mospec） S10C40C TO-220 10A/40V 2000PCS 肖特基二极管 统懋（Mospec） S16C40C
;深圳骏鹏科技;;一级代理品牌：日本英达NIEC（整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管）、台湾UTC MOS管、美国桑德斯SMC二极管、韩国HTC LDO、台湾GTM等等。 NIEC产品
~ 36 伏特 保护用瞬态电压抑制二极管TVS400 ~ 5000瓦特5 ~ 376伏特 场效应管MOSFET0.2瓦特60伏特 小信号开关二极管0.2 ~ 0.5瓦特50 ~ 350伏特 小信号肖特基二极管
barrier)。 法商矽莱克半导体，主要做（1）高压大功率肖特基二极管，大功率的有20A-60A/60-200V TO-220，TO-3P封装，（2）降低成本肖特基二极管有10A/100-150V
突波电压吸收器、TVS瞬态抑制二极管、双向触发二极管、小信号肖特基二极管、硅平面稳压二极管、小型稳压玻璃封装二极管、稳压二极管、桥式整流器、稳压电路/可控硅、场效应管、贴片电阻/电容、固体放电管、贴面封装一般整流二极管
、GBU、GBJ、RBV系列；方桥KBPC、SKBPC、BR、DB系列；MB、MBS、HD、DB、DF、板凳桥、贴片桥；全系列贴片二极管；高压肖特基二极管普通肖特基二极管
本着以质量求生存的原则，所有原/辅材料均为国内国外知名企业提供。公司于2007年3月年正式面对市场开始肖特基二极管销售业务,产品质量稳定.优异,肖特基二极管已经取得多家国内大公司认可,并大量供货.产品
;金成电子（香港）有限公司;;场效应管 肖特基二极管 快速恢复二极管 三端稳压 三极管等等...
;深圳诚桩电子;;场效应管MOSFET,IGBT,电源驱动IC,快恢复二极管，肖特基二极管，SMD元件！
;深圳市洲盛电子有限公司;;深圳市洲盛电子有限公司专业 IR（国际整流器公司）、ON（安森美）、Fairchild（仙童）系列：场效应管MOSFET，IGBT，电源驱动IC，快恢复二极管，肖特基二极管