三星否认HBM3E品质问题,声明巧妙回避

发布时间:2024-05-28  

有报导称,三星的高频宽存储器(HBM)产品因过热和功耗过大等问题,未能通过Nvidia品质测试,三星对此否认。韩媒BusinessKorea报导称,三星表示正与多间全球合作伙伴顺利开展HBM供应测试,强调将继续合作,确保品质和可靠性。

三星声明表示,“我们正与全球各合作伙伴顺利测试HBM供应,努力提高所有产品品质和可靠性,也严格测试HBM产品的品质和性能,以便为客户提供最佳解决方案。”

三星近期开始量产第五代HBM产品,即8-Hi(24GB)和12-Hi(36GB)容量的HBM3E设备。

外媒Tom′s Hardware认为,三星虽然声称最新HBM产品可与多种处理器正常工作,但没明确说明能否与Nvidia所有处理器正常工作。Nvidia有多种GPU采用HBM3E存储器,包括H200及B200、B100和GB200,虽然都需要HBM3E存储器堆叠,但对功耗和散热要求不同。

因此该报导认为,三星HBM3E存储器可能非常适合H200、B200及AMD即将推出的Instinct MI350X,但可能无法满足Nvidia GB200要求。

封面图片来源:拍信网

文章来源于:全球半导体观察    原文链接
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