【导读】摩根士丹利本12月13日的报告中再次上调存储芯片涨价预期，其指出从修正后的每股获利来看，美股存储股现在较上一个周期要便宜得多，存储芯片行业将进入周期性增长加速、需求明显提高的时期。

摩根士丹利本12月13日的报告中再次上调存储芯片涨价预期，其指出从修正后的每股获利来看，美股存储股现在较上一个周期要便宜得多，存储芯片行业将进入周期性增长加速、需求明显提高的时期。

大摩在报告中指出，下游补库存，供给远低于需求，明年第一季存储芯片价格有望大幅上涨：“我们预估 DRAM 和 NAND 价格将在明年第一季上涨 20%，最新的预期较此前增幅翻倍，此前的预期是 DRAM 价格涨幅为 8% 至 13%，NAND 价格涨幅为 5% 至 10%。”

下游客户已开始补库存，中国智能手机 OEM 厂明年第一季订单量将大幅增加，电脑 ODM/ OEM 也在建立库存。而智能手机制造商重新补库存将带来价格的上涨，库存将恢复到正常水准 (移动 DRAM 需要 4 至 6 周，NAND 需要 6 至 7 周)。

从供需方面来看，存储芯片商在大幅减产之后，产量远远低于需求，随着需求的改善，明年的价格上涨前景将更加明确。

进一步来看，大摩指出，人工智能 (AI) 需求将进一步提振存储芯片价格：“我们还需要考虑到明年 HBM 芯片100 亿美元市场规模长的影响，以及 AI 需求的突然出现将导致供应短缺延长。”

此外，虽然 AI 应用程序大部分都部署在云端，但从 2024 年开始，边缘计算需求将变得越来越普遍 (行动 AI)，并可能逐渐进入智能手机升级周期。

整体来看，大摩认为，随着每股获利年增加速，存储股往往表现优异，现在刚刚进入周期中期 / 乐观阶段，DRAM 现货价格年增为 - 16%，距离峰值水准仍有距离。而抛开估值不谈，存储芯片周期已经从今年第一季的低点恢复，进入明年将进一步改善。

根据最新的产业数据，大摩上调三星和 SK 海力士的每股获利预期，并预估海力士将在第四季实现获利，并在 HBM 市占增长和大宗商品价格大幅改善的推动下，进入获利周期，到明年底 / 2025 年初将达到创纪录的水准。三星则将通过存储涨价快速提高利润率，同时或将从融入 AI 技术的 S24 edge 产品中受惠，该产品将在明年第一季推出。（来源：钜亨网）

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