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研发客服近日，Nexperia宣布与三菱电机公司建立战略合作伙伴关系，共同开发碳化硅(SiC) MOSFET分立产品。
Nexperia表示，双方联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升，同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。
资料显示，Nexperia总部位于荷兰，作为基础半导体器件开发和生产者，Nexperia器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，其不仅是基础商用硅半导体大型供应商，而且是宽禁带器件提供商。
三菱电机主要面向信息处理和通信、太空开发和卫星通信、消费电子、工业技术、能源、运输和建筑设备等领域提供性能可靠的产品，其功率半导体产品可应用于汽车、家用电器、工业设备和牵引电机等众多领域实现大幅节能，其高性能SiC模块产品已在日本高速新干线列车上得到应用。
Nexperia认为，此次合作将利用双方的协同优势进一步提升碳化硅(SiC)技术。
近年，得益于新能源汽车等应用快速普及，碳化硅市场需求持续高涨。
根据TrendForce集邦咨询数据显示，随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%。
与此同时，受惠于下游应用市场的强劲需求，TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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