【导读】据科创板日报消息称，三星本季度将NAND Flash芯片报价调涨10%至20%之后，已决定明年一季度与二季度逐季调涨报价20%，此举远超业界预期。

存储巨头再一次加大涨价力度。

NAND芯片涨价10%-20%

据科创板日报消息称，三星本季度将NAND Flash芯片报价调涨10%至20%之后，已决定明年一季度与二季度逐季调涨报价20%，此举远超业界预期。

值得注意的是，信达证券此前援引行业消息称，近日三星向客户公布Q4官价，MobileDRAM合约价环比涨幅预估将扩大至11%-25%；NAND Flash方面，UFS4.0涨幅约2%左右，eMCP、uMCP涨幅不等，平均涨幅20%以上，最高涨幅高达66%。

为何三星有底气强势涨价？减产或许是原因之一。在10月31日的财报会议上，三星执行副总裁Kim Jae-joon直言，“三星接下来的减产行动，将比目前DRAM缩减产出的规模更大。”

减产对存储产品价格有明显的拉升作用，机构也统计出10月DRAM和NAND闪存固定交易价格分别出现两年来和三个月来的首次反弹。据TrendForce 数据，截至10月31日，DRAM PC通用产品DDR4 8千兆位1G*8 2133MHz的平均固定交易价格为1.50美元，环比增长15.38%。截至同日，用于NAND存储卡/USB的128Gb 16G*8多层单元 (MLC) 通用产品的平均固定交易价格为3.88美元，环比上涨1.59%。

业内人士指出，目前NAND芯片市场转趋热络，客户陆续回笼。三星作为全球存储芯片龙头，其领头调涨价格，将有助整体市场报价正向发展。

存储厂商乐观预期

除了原厂以外，为了提升价格，中国台湾存储厂商积极降低产能，促进库存消化。

华邦积极布局AI应用，还拿下苹果NOR芯片大单；南亚科启动制程升级，瞄准第二代10nm 1B制程；群联最快年底推AI用SSD以及企业级Gen5 SSD；宇瞻与威刚看好明年DDR5市况，均提升比重改善产品组合；十铨则持续加重电竞占比。

三星也在加大高端存储芯片的产量。三星存储业务副总裁Kim Jae-june表示，我们已经与主要客户完成供应量的讨论，随着生成式人工智能推动HBM的需求，我们在积极扩展HBM3E业务，明年上半年比例也将持续增加，大概占HBM总销售量一半以上。

即使存储市况回温，分析师认为占据优势的还是成本相对低的存储模组厂，各厂产能重新配置，纷纷转到高毛利率的DDR5、HBM产品，让生产DDR3的台厂明年有机会出现供应平衡，甚至小幅供不应求。

TrendForce此前指出，NAND芯片价格自8月起涨，看好在供应商议价态度转趋强硬情况下，四季度企业级固态硬盘合约价格可望上涨约5%-10%；用户端固态硬盘方面，随着供应商议价能力提高，高低阶用户端固态硬盘产品可望同步上涨，预计四季度合约价将扬升8%至13%。

与此同时，存储厂商也已给出颇为乐观的预期。

群联指出，过去6-9个月OEM客户调整库存已近尾声，公司已获得更多设计导入（design-in）的订单。存储模组厂威刚则表示，随着大厂大幅减产效益浮现，看好存储价格从今年四季度到明年上半年一路上涨，明年起更会进入为期二年的存储多头格局，未来二年市场供给将吃紧并出现缺货状况。

存储器整体涨势有望延续

TrendForce认为，存储器整体涨势有望延续，预计明年一季度Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）合约价仍将续涨，涨幅则视后续原厂是否维持保守的投产策略，以及终端是否有实质买气支撑而定。

随着主要厂商控产持续进行，以及原厂、终端与渠道库存去化，叠加终端市场需求复苏，国金证券11月1日报告指出，存储芯片有望在今年四季度开始价格反弹，开启新一轮上涨周期。而作为存储芯片的生产者，以及存储市场最为重要的环节，存储芯片厂商有望最为受益。

存储市况逐步回暖，随着三星、铠侠、美光三大原厂表示明年报价要陆续增长，分析师认为，最快明年下半年，价格就会出现全面上涨。

TrendForce分析师敖国锋表示，8、9月开始有存储价格的反转，甚至第四季度开始出现有很多终端产品的季度合约价的确也开始上涨，大概10%到15%之间。敖国锋认为原厂应该有机会继续维持减产的规模，表示原厂希望在整个现货市场或市场上的库存到明年第二季度完成合理的去库存化。明年下半年开始，价格或将会出现较全面性的上涨。

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