据 21ic 消息报道，正在向美国政府寻求 150 亿美元的建厂补贴，但反对一些附加条件，比如需要向其分享超额利润等。

根据相关知情人士透露，台积电对美国可能要求其分享工厂利润，并提供详细营运信息的规定感到担忧。台积电去年 12 月把美国亚利桑那凤凰城的建厂投资规模增加了两倍多，高达 400 亿美元。

根据美国芯片法案，台积电可能会获得大约 70~80 亿美金的税额减免。台积电正在争取商务部的补助款，同时期望在亚利桑那凤凰城的两座工厂都可获得大约 60~70 亿美金的补贴，这样的话台积电将获得来自美国政府的补贴总额高达 150 亿美元。

据悉，该金额占美国芯片法案提供补助资金近三成，台积电是否能顺利得到该补贴还是一个未知数，因为这不仅需要持续和美国政府协调，更考验台积电能否在商业利益与政治判断上取得平衡。

美国芯片法案将提供 530 亿美元资金帮助美国恢复在半导体领域的制造实力。而且英特尔和三星等半导体巨头都会申请先进制程建厂补助，而台积电申请的 150 亿美金就几乎占了三成。

台积电在昨天召开了法说会，除了营运展望之外，预料美国布局等相关议题将是会中焦点。台积电在亚利桑那凤凰城的工厂第一阶段将于明年开始年量产 4nm 制程工艺，符合美国的补助条件。

但是台积电董事长刘德音日前表态，无法接受该法案提供补助的部分条件，还须再讨论。台积公司的目标是减轻这些负面影响，并将继续与美国政府进行协商。虽然刘德音并未透露无法接受美国芯片法案哪部分的限制，但业界分析应该是美国商务部认为，申请补助厂商十年内将不得在受关注的国家/地区进行扩充，其余还包括提出相关商业秘密等给美方，以利查核是否将补助款用于购买库藏股或配发股息等限制用途。

业界分析，由于台积电获补助金额绝不会超过英特尔等美国厂商，台积电有本事不靠申请补助款，与各大芯片厂竞争，这也是台积电可以和美国商务部谈条件的底气。

综观台积电海外布局，不仅美国亚利桑那州厂投资金额扩增至400亿美元，将投入4nm 及3nm 制程生产，并在日本熊本投资建厂，预计2024年底前以28nm 、22nm 、16nm 及12nm 制程生产。

业内分析人士认为，台积电对提供财务报表，各种营运假设条件，客户资料等很担忧资料外流，也担心分享利润限制公司获利空间，拜登政府及美国商务部为保护美国纳税人的钱及要求分享超额利润，似乎也不肯让步就直接开张空白支票给。