新能源汽车近年来成为备受关注的行业。从过去五年到今天，新能源汽车发展超出了许多人的预期，尤其是在中国。根据统计，2023年中国新能源汽车销量达到了950万辆，占总汽车销量的31.6%，预计2024年销量将突破1200万辆，市占率将超过45%。新能源汽车市场的快速增长为SiC技术的应用带来了巨大的机遇，在E维智库第12届中国硬科技产业链创新趋势峰会上，清纯半导体(宁波)有限公司市场经理詹旭标对SiC技术最新发展做了分享。

清纯半导体(宁波)有限公司市场经理詹旭标

自2017年特斯拉首次推出基于SiC技术的电驱动汽车以来，越来越多的车厂开始采用SiC技术。从比亚迪到国内其他主流车企，SiC已经成为主流技术之一。到2023年，公开上市的国产SiC车型已达到142款，且这一趋势还在加速发展。目前，1200V SiC MOSFET仍是主流器件，部分400V平台采用750V的SiC解决方案，标志着SiC市场已经逐步打开。

在新能源汽车领域，SiC的使用不仅可以提升续航里程，还能解决补能焦虑，SiC技术支持更高功率的充电设备，预计到2025年，用户能够体验到15分钟充电80%的电能，大幅缓解新能源汽车的补能焦虑。

SiC产业及技术现状：目前，SiC产业依然由国外企业主导。根据Yole的预测，2025年全球SiC市场规模将接近60亿美元，年增长率约为36.7%。全球前五大SiC厂商的市场份额已达到91.9%，而国内厂商的市场份额仍较小。

国外企业在扩产方面的投入也非常积极。例如，Wolfspeed计划投入65亿美元，英飞凌也计划投入50亿欧元。相比之下，国内厂商的投资相对较为分散，尽管一些企业在衬底和外延方面有了较大的进展。

随着产能的快速扩展，SiC器件价格不断下降。以1200V/40mΩ SiC MOSFET为例，从2023年到2024年，价格从35元下降到23元，下降幅度达到35%。这一变化使得SiC技术逐渐向更广泛的应用领域拓展。

国内SiC器件技术进展与发展趋势：中国的SiC产业链正在加速完善，涵盖了从材料、衬底、外延、加工设备到设计和代工的各个环节。国内的技术水平与国际顶尖企业差距越来越小。清纯半导体在这方面也做了积极的努力，已推出多代SiC MOSFET产品，并在导通电阻、开关损耗等关键性能上取得了显著进展。

例如，我们公司第二代1200V SiC MOSFET的导通电阻已达到2.8mΩ，接近国际巨头的技术水平。而在今年，我们将推出第三代产品，目标将导通电阻降至2.4mΩ，进一步缩小与国际领先技术的差距。

对比国内外SiC产品在电驱、桥式电路等应用中的表现，清纯半导体的产品在串扰抑制能力、耐受能力、振荡性能等方面优于国际厂商，同时能够降低开关损耗，提升整体效率。

SiC半导体产业发展迅速，国内SiC器件在光伏、储能、充电桩等应用领域实现了大规模国产化替代。尽管目前在新能源汽车主驱领域，部分高端产品仍依赖进口，但随着技术的进步，国产SiC MOSFET的性能将进一步提升，未来2-3年内，国内头部企业有望在全球市场中占据重要位置。

在未来的发展中，清纯半导体将继续专注于提高技术水平、降低成本，并推动更广泛的应用，尤其是在车规级SiC MOSFET的可靠性测试、耐高温性能等方面，进一步提高产品的竞争力。