据业内信息,近日全球光刻机巨头ASML在今年的半导体EUV生态系统全球大会上表示,EUV设备出货量这几年来不断上升,去年大约为42台,而今年预测将超过50台。2024年年底预计推出下一代High-NA EUV设备。
从ASML今年Q3季度的财报数据可以看出,其收到了较多的TWINSCANEXE:5200订单,而且目前所有的EUV客户都已提交High-NA的订单。
下一代的High-NA EUV设备是将集光能力的镜头数值孔径(NA)从0.33提高到0.55的设备,比现有的EUV设备处理更精细的半导体电路。因此业内普遍认为High-NA设备对2nm工艺至关重要。
据悉,三星电子和SK海力士已经向光刻机巨头ASML订购了下一代半导体设备High-NA EUV设备,预计未来在2nm制程工艺的竞争将加剧。
虽然High-NA EUV设备的价格高于EUV,但它可以一次性实现超精细工艺(单次图案化),这可以极大地提高生产力。
文章来源于:ECCN 原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。