4月20日消息,据钜亨网报道,DRAM厂商南亚科宣布,将在中国台湾新北市新建一座12英寸晶圆厂,新厂将采用双层无尘室设计,使用南亚科自主研发的10纳米制程,设计采用EUV极紫外光生产技术,规划月产能约4.5万片。今年底动工,2024年开始第一阶段1.5万片量产,总投资额达新台币3000亿元(约合人民币694亿元)。
南亚科董事长吴嘉昭表示,该晶圆厂将以7年分三阶段进行投资,计划2021年底动工,2023 年底完工开始试产,并于2024 年开始第一阶段量产,产出颗粒数将较现有产能增加。
此外,吴嘉昭强调南亚科目前也在全力发展DDR5以及LPDDR5高容量高速度的产品,希望通过先进制程上的研发能力,使中国台湾地区DRAM产业更健康稳固地发展。
南亚科总经理李培瑛则表示,未来可生产DDR5、LPDDR5 及16Gb 高容量等DRAM 产品,以顺应未来5G 与数字化的发展趋势。
封面图片来源:拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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