“芯”闻摘要
三星3纳米芯片正式出货
美光量产首款232层NAND
半导体巨头相互抱团
英特尔逐渐关闭傲腾业务
4家公司入选科创材料指数
三星3纳米芯片正式出货
据韩联社报道,三星首批3纳米芯片已完成生产,并于25日在韩国华城园区厂举行出货仪式。三星表示,该公司在全球先进芯片制程竞赛中,率先取得重要里程碑。
不过,三星并未公布首批3纳米芯片的客户。此前,有媒体报道称,消息人士透露,三星称已经有客户订购产能,包括虚拟货币挖矿机芯片设计公司上海磐矽半导体 (PanSemi),以及移动处理器大厂高通 (Qualcomm) 等,不过高通将视情况进行投片。
官方介绍称,与三星5nm工艺相比,三星第一代3nm工艺可以使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面积减少16%;三星表示,未来第二代3nm工艺将使功耗降低50%,性能提升30%,芯片面积减少35%。
业界首款232层NAND量产
美国东部时间2022年7月26日上午9时,美光科技宣布推出全球首款232层NAND,该产品现已在美光新加坡工厂量产,它最初以组件形式通过美光旗Crucial英睿达SSD消费产品线向客户发货。随后美光将发布其他产品和可用性公告。
NAND Flash 3D堆叠成为主流技术,层数跨越176层、迈进232层之后,未来原厂将发力200层、300层、400层、甚至500层以上NAND技术。
美光方面,232层NAND不是该公司闪存技术迭代的终点,今年5月美光曝光的技术路线图显示,232层之后美光还将发力2YY、3XX与4XX等更高层数。美光之外,三星电子、西数、铠侠等原厂也在积极推进闪存层数迭代。
半导体巨头相互抱团
7月25日,半导体龙头厂商英特尔和IC设计大厂联发科宣布建立战略合作伙伴关系。英特尔将通过其晶圆代工服务部门(IFS)为联发科代工芯片。
英特尔表示,联发科将使用英特尔的工艺技术为一系列智能边缘设备生产芯片。不过,英特尔并未透露双方此次的合作细节,也没有透露将为联发科生产多少芯片。有媒体报道称,首批产品将在未来18至24个月期间生产。
随后,高通和三星也于7月28日官宣合作。高通表示,已加强与三星电子的战略合作伙伴关系,同意将专利授权协议延长至2030年底。此前,高通和三星曾在2018年2月达成专利授权协议,期限为5年,包括移动设备等领域。
据悉,高通本次延长的授权专利包括3G、4G、5G和即将推出的6G移动技。此外,高通技术公司(高通子公司)还将与三星扩展合作,其骁龙平台将支持三星未来的旗舰Galaxy产品,包括智能手机、PC、平板电脑和扩展现实等。
英特尔逐渐关闭傲腾业务
当地时间7月28日,英特尔公布了该公司的2022财年第二季度财报。报告显示,其第二季度营收为153.21亿美元,同比下降22%;归属于普通股东净利润为-4.54亿美元,较2021年同期下滑达109%。
在本次公布的财报中,英特尔还透露了一项重要信息。根据财报,英特尔将逐步关闭其Optane(傲腾)业务,而此举将造成英特尔5.59亿美元的库存减值。
英特尔在向TomsHardware提供的声明中表示,将继续优化产品组合以支持IDM 2.0战略。这包括评估剥离那些盈利能力不足或不是我们战略目标核心的业务。经过仔细考虑,英特尔计划停止Optane业务未来产品开发。
4家公司入选科创材料指数
7月22日,科创板迎来开板三周年之际,上海证券交易所和中证指数有限公司宣布了上证科创板高端装备制造指数(以下简称“科创高装指数”)和上证科创板新材料指数(以下简称“科创材料指数”)的发布安排,两条科创板主题指数将于8月15日正式发布。
科创高装指数和科创材料指数分别选取不超过50只市值较大的高端装备制造和新材料细分领域上市公司证券作为指数样本。科创高装指数前5大权重股分别为石头科技、九号公司、中国通号、时代电气和奥特维,合计权重为34%。科创材料指数前5大权重股分别为容百科技、天奈科技、沪硅产业、西部超导和金博股份,合计权重为46%。
经过筛选,金宏气体、沪硅产业、神工股份与华特气体四家半导体材料公司入选科创材料指数成分股,涉及电子特气与硅片领域。
封面图片来源:拍信网
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