近日，国内一批半导体项目迎来新的进展，涵盖碳化硅、掩膜版、溅射靶材等领域。

希科半导体SiC外延片投产

11月23日，希科半导体科技（苏州）有限公司（以下简称“希科半导体”）碳化硅外延片正式投产。

据“苏州工业园区发布”消息，希科半导体成立于2021年，是一家致力于发展第三代半导体碳化硅(SiC)材料的高科技公司，主营6英寸及8英寸碳化硅外延片的研发及产业化，是苏州工业园区重点引进和培育的第三代半导体企业。目前，希科半导体关键研发及生产设备、量测设备已投入使用，其样片已通过国家重点实验室等第三方机构检测。

根据“苏州道博环保技术服务有限公司”官网今年年初发布的希科的碳化硅项目环评公示，该项目拟投资7620万元，预计建成后，可实现年研发碳化硅衬底外延片5000片。

希科半导体董事长兼总经理吕立平介绍，当前，希科半导体已实现了工艺设备、量测机台、关键原材料三位一体的国产化，解决了碳化硅外延片产品生产的卡脖子问题。计划未来3年继续投入超3亿元，建成年产5万片的生产线，达产后年产值5亿元。

芯聆半导体总部项目落户苏州

11月23日，芯聆半导体总部项目签约落户苏州高新区，将致力于高端功放芯片细分领域的全链条发展。

据“苏州高新区发布”消息，芯聆半导体成立于2021年，主要从事中大功率的高端功放芯片的开发。公司由国内资深的混合信号类功放设计专家团队组建，对车规级功放芯片的设计、工艺、封装、认证、市场渠道等拥有多年积累。

今年7月，芯聆半导体获得由瑞声科技领投的Pre A轮融资，芯聆半导体该轮融资将用于车规级Class D功放芯片的开发量产，及持续的研发和团队投入。

目前，芯聆半导体多通道车规级Class D芯片正式流片，芯片满足AEC-Q100标准，达到高效率、高可靠、高音质，低EMI的音频功放水平，已实现车规级功放Class D芯片量产，预计在1-3年内完成汽车前装的多款功放的适配开发，并形成车规级的产品线。

华润微电子迪思高端掩模项目奠基

11月22日，华润微电子迪思高端掩模项目奠基仪式在无锡高新区举行。据介绍，无锡迪思微电子有限公司是华润微电子旗下的重点企业，长期聚焦光掩模制造领域。

据悉，掩膜版为集成电路制造前道光刻核心工艺的关键材料。目前国内中高端掩膜版市场主要由国外企业垄断。随着国内晶圆厂扩产和先进工艺的推进，高端掩膜版的需求持续放量增长。

此次奠基的迪思高端掩模项目，投资约13亿元，将建设40纳米先进光掩模产线，助力进一步提高掩模制程能力，实现产能和技术水平的双提升，同时还将填补国内高端掩模代工领域的空白。

掩模是IC制造的重要一环，是芯片下游产业生产流程衔接的关键部分。迪思高端掩模项目落成后，无锡迪思微电子将成为国内知名的开放式掩模工厂之一。

芯粤能SiC芯片制造项目洁净室启用

11月21日,广东芯粤能碳化硅芯片制造项目洁净室正式启用，创造了国内6英寸和8英寸兼容碳化硅芯片项目建设记录。

资料显示，广东芯粤能半导体有限公司位于广州市南沙自贸区，是一家面向车规级和工控领域的碳化硅芯片制造和研发企业，产品主要包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件，主要应用于新能源汽车、工业电源、智能电网以及光伏发电等领域。

芯粤能半导体总投资75亿元，占地面积150亩，建成年产24万片6英寸和24万片8英寸碳化硅晶圆生产线，是目前国内知名的专注于车规级碳化硅芯片制造的企业，分别被广东省、广州市和南沙区列为重点建设项目。

项目洁净室的正式启用标志着工艺设备的有序搬入和调试，为2023年初项目试投产能尽快实现碳化硅芯片制造生产线批量投产做好准备。

合肥高端溅射靶材生产基地开工

11月23日，广东欧莱高新材料股份有限公司在合肥新站高新区举行了合肥欧莱高端溅射靶材生产基地开工仪式。

为实现高端溅射靶材的国产化替代，合肥欧莱高端溅射靶材生产基地项目计划投资约3亿元，建筑面积共43200平方米，计划于2023年12月投产。

广东欧莱高新材料股份有限公司成立以来专注于溅射靶材的研发生产，突破了溅射靶材生产制造的“卡脖子”技术，率先实现了TFT高纯铝旋转靶材的国产化，其产品广泛应用于半导体显示（TFT/OLED）、半导体芯片、光伏、动力电池新能源、建筑和汽车玻璃、光学光通讯、装饰镀工具镀等行业。与京东方、华星光电、惠科股份等国产液晶面板龙头企业均建立了良好合作关系。

高端溅射靶材是新型显示和半导体集成电路产业链上游的关键原材料。此次欧莱新材在合肥成立靶材生产基地，并设立半导体集成电路靶材研发中心，生产新型显示靶材及半导体集成电路靶材，为国内新型显示产业和半导体集成电路行业提供关键原材料，增强产业链供应链自主可控能力。

立琻半导体一期厂房落成

11月21日，立琻半导体（LEKIN）一期厂房落成典礼在苏州太仓高新区举行。最新消息，其厂房内部第一条生产线的设备已全部搬入，正准备进行调试。

据了解，该项目一期投资10亿元，打造化合物半导体光电器件研发制造基地，总建筑面积15283平方米，主要产品包括高效紫外LED、红外VCSEL、车用LED等高性能半导体光电器件。预期项目建成后，将成为国内新兴的高性能光电半导体生产基地，进一步提高我国在化合物半导体核心器件上的竞争优势。

资料显示，立琻半导体成立于2021年3月，致力于提供光电子芯片、智能传感、新型显示等战略新兴领域的化合物半导体光电产品。在成立之初，立琻半导体成功竞标收购了世界500强LG的光电化合物半导体事业部资产，具体包括近万件专利、相关技术与成套工艺设备。

芯宇半导体项目月底投产

据“盐城经开区发”披露，总投资1亿美元的芯宇半导体项目11月底将全面竣工投产。

芯宇半导体项目由全球领先的移动存储芯片封装测试提供商香港艾发科技有限公司投资建设，主要从事存储类芯片的设计、封装测试及销售，其中测试业务占70%，封装业务占30%。由于经营业务对生产环境要求极高，生产车间严格按照万级、千级无尘净化标准进行建设。

“盐城经开区发”介绍称，目前，首批进场的150台（套）设备已完成安装调试，并开始试生产，前期人员招聘培训也已完成。同时，第二批151台（套）设备已于10月底全部到场，正在进行安装调试，将于11月底全面竣工投产。届时，项目可实现年产4320万颗芯片，年销售不低于17亿元。

北京中科芯电分子束外延片项目签约

近日，常熟经开区举行金秋重点产业项目集中签约仪式，其中包括北京中科芯电分子束外延片项目

据悉，北京中科芯电分子束外延片项目总投资5亿元，其中设备投资约4.8亿元，将建设砷化镓分子束外延片规模化生产基地及MOCVD生产线，年产6寸微电子及光电子外延片超70万片，达产后年销售超过7亿元，年纳税超6000万元。

团队由中国科学院半导体研究所博导曾一平领衔，成员多为国内半导体材料行业尖端人才。其核心产品指标达到国际一流水平，是国内极少数的量产供应商。

普兴公司新产业基地首片SiC外延“出炉”

11月16日， 电科材料下属普兴公司新外延材料产业基地第一片硅外延和碳化硅外延相继“出炉”，实现了新产业基地外延生产从0到1的突破，后续将进行新品全尺寸检测评估并向客户提供验证样片。

据“中电材料”消息，普兴公司是中电科旗下控股公司，致力于高性能半导体材料的外延研发和生产。2021年9月，普兴公司布局第三代半导体碳化硅外延业务，实施总投资16.7亿元的外延材料产业基地建设项目。

新基地占地面积130亩，并于今年4月完成主厂房封顶，9月搬入首批生产、检验设备，11月实现了首片硅外延和碳化硅外延下线。根据此前的资料，普新公司将新购置各类外延生产及清洗检验设备共392台（套），项目投产后，普兴公司将达到年产300万片8英寸硅外延片、36万片6英寸碳化硅外延产品的生产能力。

封面图片来源：拍信网