HBM高带宽存储芯片被广泛应用于最先进的人工智能（AI）芯片，据业界消息，的质量对存储厂商提出挑战，因为相比传统DRAM产品，HBM的良率明显较低。

台积电、三星代工等公司，此前在加工单一硅晶圆时一直面临将良率维持在最佳水平的挑战，但当前这一问题蔓延到了HBM行业。消息称美光、SK海力士等存储厂商，在英伟达下一代AI GPU的资格中将进行竞争，似乎差距不大，而良率将是厂商们的阻碍。

据悉，HBM制造过程中，多层堆叠的复杂性导致良率变低，小芯片之间通过硅通孔（TSV）工艺相连，这种复杂性增加了制造过程中出现缺陷的机会。如果HBM中的一层被证明有缺陷，那么整个堆叠都会被丢弃，因而造成良率难以提升。

消息人市场称，目前HBM存储芯片的整体良率在65%左右，其中美光、SK海力士似乎在这场竞争中处于领先地位。据悉，美光已开始为当前最新的H200 AI GPU生产HBM3e存储芯片，因为其已通过Team Green设定的认证阶段。

SK海力士副社长Kim Ki-tae曾在2月21日的官方消息中指出，虽然外部不稳定因素仍然存在，但今年存储芯片市场有望逐渐回温，PC、智能手机等应用，不仅会提升HBM3e销量，也能带动DDR5、LPDDR5T等产品需求增加。这名高管表示，旗下HBM已全部售罄，公司已开始为2025年准备。

（来源：集微网）