SK海力士正考虑与铠侠合作生产HBM

2024-03-05  

据 MoneyDJ 援引 Jiji Press 报道,韩国存储器巨头 SK海力士正在探索与日本 NAND 闪存制造商铠侠合作,生产用于人工智能应用的高带宽存储器 (HBM)。


据时事通讯3月1日报道,预计生产将在铠侠与西部数据(WD)合资的日本工厂进行。 另一方面,铠侠将根据半导体市场状况及其与 WD 的关系评估拟议的合作。

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该报告强调,HBM(一种主要用于人工智能服务器的 DRAM)在 NVIDIA 的带动下,在全球范围内的需求正在激增。 此外,根据集邦咨询此前发布的新闻稿,2023年HBM三大原厂市占率分别为:SK海力士、三星均在46-49%左右,美光则在4-6%左右。


对于SK海力士来说,利用铠侠在日本岩手县北上市和三重县四日市的现有工厂生产HBM将能够快速建立扩大的生产系统。


与此同时,铠侠和WD的日本合资工厂目前只生产NAND Flash。 如果未来能够生产出最先进的DRAM,也将为日本的半导体产业振兴计划做出贡献。


该报告进一步指出,SK 海力士通过美国投资公司贝恩资本间接投资了铠侠约 15% 的股份。 据报道,贝恩资本正在与 SK 海力士进行幕后谈判,寻求重启铠侠/WD合并。 然而,根据报道中引用的消息来源,“这次合作和合并是两个单独的讨论事项。”


据朝日新闻此前2月23日报道,铠侠和WD预计将在4月底重启合并谈判。 尽管去年秋天双方的合并谈判遇到了障碍,但双方都面临着扩大规模的生存压力。 不过,双方最终能否达成合并协议仍存在不确定性。

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根据TrendForce 2023年第三季度的数据,三星继续保持全球第一大NAND闪存制造商的地位,占据31.4%的市场份额。紧随其后的是SK集团,以20.2%的市场份额位居第二。 西部数据以16.9%的市场份额占据第三位,而日本的铠侠则占据14.5%的市场份额。


朝日新闻进一步指出,如果铠侠和WD这两家均生产NAND Flash产品的公司合并,其规模将与全球市场领导者三星电子相媲美。


据报道,日本政府将铠侠/WD合并视为日美半导体合作的“象征”,并提供了支持。 然而,去年秋天,合并谈判陷入僵局,据报道是由于间接投资铠侠的 SK 海力士的反对。

文章来源于:电子工程世界    原文链接
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