11月27日，三星电子宣布了2025届总裁级别人事变动，以增强未来的竞争力，主要变动包括制度、部门管理、人员职务等层面方面。

制度和部门管理变化主要包括，存储业务转变为CEO直接领导制度；更换代工业务负责人，重组业务线；在Foundry部门设立总裁级CTO职位；在DS部门设立总裁级管理战略职位；任命DS业务负责人为CEO，建立各事业部CEO业务责任制；成立DX事业部负责人领导的质量创新委员会，推动质量领域的根本性创新。

具体的人员职务调整则如下：

全永铉（Young Hyun Jun），原三星电子副社长兼半导体业务设备解决方案（DS）部门负责人，被任命为CEO，并仍将担任存储业务和三星先进技术研究院负责人；

Jinman Han，原三星电子EVP兼半导体业务设备解决方案（DS）部门负责人，被提升为Foundry业务负责人；

Seok Woo Nam，原三星电子FAB Engineering & Operations负责人，将担任新设立的Foundry业务CTO；

Yong Kwan Kim, 原三星电子Business Support TF部门EVP，将调任DS事业部管理战略总裁；

Wonjin Lee，原三星电子executive advisor，将调任Global Marketing Office负责人；

Hark Kyu Park，原三星电子CFO，将调任Business Support TF负责人。

此外，三星电子还成立了新的质量创新委员会，并任命副社长Jong-hee Han为主席，以实现质量领域的根本性创新。三星电子计划很快确认并宣布2025年的定期高管人事任命和组织重组，包括副总裁以下的人员。

另值得关注的是，据韩媒最新报道称，三星电子在生产3D NAND闪存方面取得重大突破，其通过精确控制涂布机的转速（rpm）以及优化PR涂层后的蚀刻工艺，将光刻胶（PR）用量大幅缩减至此前用量的一半。此前每层涂层需要7-8cc的光刻胶，现在只需要4-4.5cc。另外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶，通常情况下一次工艺形成1层涂层，而使用更厚的光刻胶，三星可以一次形成多个层，从而提高工艺效率。

据悉， 三星将从第9代3D NAND开始全面应用这项新技术，这一举措不仅提高了生产效率，更将为三星节省每年数十亿韩元的巨额成本。

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