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特性
- 高输出功率： +17 dBm
- 低输入功耗驱动： -2至+6 dBm
- Fo隔离： >20 dBc（Fout = 24 GHz时）
- 100 kHz SSB相位噪声： -132 dBc/Hz
- 单电源： +5V (82 mA)
- 裸片尺寸： 1.18 x 1.23 x 0.1 mm m
THMC576是一款采用GaAs PHEMT技术的x2有源宽带倍频器芯片。 由+3 dBm信号驱动时，该倍频器在18至29 GHz范围内提供+17 dBm的典型输出功率。 在24 GHz频率下，Fo和3Fo隔离分别大于20 dBc和30 dBc。 HMC576非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-132 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。
应用
-
时钟生成应用：
SONET OC-192和SDH STM-64 - 点对点和VSAT无线电
- 测试仪器仪表
- 军事电子战/雷达
- 太空
产品选型指南 1
质量文档 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的 质量和可靠性计划和认证 以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC576 | CHIPS OR DIE |
|
|
| HMC576-SX | CHIPS OR DIE |
|
文章来源于:analog.com 原文链接
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