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研发客服英飞凌宣布与深圳英飞源技术（Infypower）合作，其将为Infypower提供业界领先的1200 V CoolSiC™ MOSFET 功率半导体器件，以提高电动汽车充电站的效率。
据介绍，通过集成英飞凌的1200 V CoolSiC MOSFET，Infypower的30 kW直流充电模块提供宽广的恒定功率范围、高功率密度、最小的电磁辐射和干扰、高防护性能和高可靠性。
SiC的高功率密度有助于开发高性能、轻量化、紧凑型充电器，特别是超级充电站和超紧凑壁挂式直流充电站。与传统的硅基解决方案相比，电动汽车充电站中的碳化硅技术可将效率提高1%，从而减少能源损失和运营成本。对于一个100kW 的充电站来说，这相当于节省1kWh 的电量，每年节省270欧元，减少碳排放3.5 吨。
根据TrendForce集邦咨询分析，随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%。
与此同时，受惠于下游应用市场的强劲需求，TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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