6月8日，美国MOCVD设备厂商Veeco 宣布，中国台湾半导体研究所（TSRI、Narlabs）已选择Veeco的Propel® R&D Metal Organic Chemical Vapor Deposition（MOCVD）设备，用于以氮化镓（GaN）为基础的功率和射频器件相关的前沿开发和协作。

据官方介绍，Veeco的Propel® GaN MOCVD系统专为功率半导体和射频应用设计，配置了一个单晶圆反应器平台，能够沉积高质量GaN膜，用于生产高效功率器件和射频器件。

单晶圆反应器是基于Veeco的Turbo Disc®技术，包括Iso Flange™和Symm Heat™突破性技术，能够帮助实现整个晶圆的均质层流及一致的温度曲线，它是大批量生产和300mm功能以及研发应用的理想选择。

Veeco 表示，Propel® R&D MOCVD设备已安装在TSRI新竹实验室，能够联合协作推动技术创新，以及GaN新兴市场开发和展示技术的能力。此次双方将共同努力和协作加速第三代半导体技术在200和300mm衬底上的大批量、低成本应用。

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