业内消息,近日韩国存储芯片巨头SK 海力士宣布,为应对用于 AI 的半导体需求剧增,决定扩充 AI 基础设施(Infra)的核心产品即 HBM 等新一代 的生产能力(Capacity) 。
当天,公司通过董事会决议,将建设在韩国忠清北道清州市的M15X定为新的DRAM生产基地,并决定向厂房(Fab)建设投资约5.3万亿韩元。SK海力士将于本月末开始进行建设工程,计划在2025年11月竣工并开始量产。
SK 海力士将于本月末开始进行建设工程,计划在 2025 年 11 月竣工并开始量产。公司也将依次进行设备投资,从长远来看,计划向 M15X 投资逾 20 万亿韩元,由此进一步扩充产能。
SK 海力士强调:“作为 AI 应用的存储器领域全球领先者,公司希望通过向韩国生产基地加大投资,为激活韩国经济动能做出贡献,同时巩固提升‘半导体强国’的地位。”
随着 AI 时代的来临,半导体业界认为 DRAM 市场进入了中长期增长时代。SK 海力士认为,预计年均增长率高达 60% 以上的 HBM、以面向服务器的高容量 DDR5 模块为主的普通 DRAM 产品需求也将持续增加。
在此趋势下,要想确保 HBM 产品的产量达到与普通 DRAM 相同的水平,则至少需要相对于普通 DRAM 至少两倍以上的生产能力。SK 海力士认为,提高以 HBM 为主的 DRAM 产能是首要课题。
因此,SK 海力士决定在龙仁半导体集群的第一座工厂竣工(2027 年上半年)之前,在清州 M15X 厂生产新一代 产品。而且也考虑了 M15X 厂的地理位置优势,其与正在扩充 TSV * 生产能力的 M15 厂相邻,可以进一步优化 HBM 生产。
SK 海力士推进 M15X 项目的同时,也将如期进行投入约 120 万亿韩元的龙仁半导体集群等韩国国内的投资计划。目前,龙仁半导体集群的用地在建工程进度约为 26%,相较于工程目标快 3 个百分点。
据悉,SK 海力士已完成布局生产设施的用地相关补偿和文化遗产调查工作,电力、用水、道路等基础设施的建设工程也比原计划进行得更快。公司计划在明年 3 月开工建造龙仁半导体集群第一座工厂,并于 2027 年 5 月竣工。
另外,SK 海力士的韩国国内投资,在 SK 集团展开的整个韩国国内投资当中也起到了重要作用。2012 年并入 SK 集团后从 2014 年开始总投资 46 万亿韩元,以利川 M14 厂为开端,以增建三座工厂的“未来展望”为中心,在韩国持续加码投资。
最终,SK 海力士在 2018 年和 2021 年依次竣工了清州 M15 厂和利川 M16 厂,超前实现了未来展望。SK 海力士期待随之推进的 M15X 和龙仁集群投资,能够促使韩国成为 AI 半导体强国,也将成为激发国家经济的牵引力。
SK 海力士 CEO 郭鲁正表示:“M15X 将成为向全世界提供 AI 应用存储器的核心设施,也是公司迈向未来的垫脚石,我确信此次投资不仅有助于公司,还会对国家经济的未来发展做出贡献。”