日前，发出活动通知，预计12月29日在台南科学园区的晶圆18厂新建工程基地，举行3纳米量产暨扩厂典礼，届时将有上梁仪式。

业界认为，由于过往先进制程量产罕有举办实体活动，此举意义重大。据台湾地区媒体经济日报报道，扩大美国投资，外派工程师赴美支援，引发“去台化”、掏空台湾疑虑，即将举行的3纳米量产暨扩厂典礼，罕见以实际行动宣示持续深耕台湾的决心，化解外界疑虑。

报道指出，相较于对手三星（Samsung）于今年6月30日抢先宣布3纳米GAA技术量产，并于7月25日在京畿道华城厂区内盛大举行3纳米GAA晶片产品出厂纪念活动，台积电3纳米量产时间晚了近半年。

此前，台积电总裁魏哲家曾表示，3纳米技术发展很困难，有许多客户踊跃合作，台积电3纳米沿用FinFET架构，是经过考虑良久，制程技术推出不是好看、要实用，要协助客户让产品持续推进。

相较于5纳米，台积电3纳米制程技术的逻辑密度将增加70%，在相同功耗下速度提升10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。预计苹果及英特尔等客户都将采用台积电3纳米制程。

据了解，台积电的南科晶圆18厂是5纳米及3纳米的生产基地，其中，晶圆18厂5期至9期厂房是3纳米生产基地。

台积电美国亚利桑那州厂第1期工程，预计2024年量产4纳米；第2期工程开始兴建，预计2026年生产3纳米制程，两期工程总投资金额约400亿美元，两期工程完工后合计将年产超过60万片晶圆。

对于赴美投资引发的“去台化”、掏空台湾疑虑，魏哲家在日前参加活动中的演讲时以“门都没有”回应。他说，半导体产业用的是脑力，在大部分国家都有工程师不足情况；不是工厂搬到哪个地方，那个地方就会发展茂盛，“门都没有”。