6月3日,华虹半导体有限公司宣布,其90纳米BCD工艺凭借高性能指标及较小的芯片面积等优质特色,在华虹无锡12英寸生产线已实现规模量产。
华虹半导体的90纳米BCD工艺拥有更佳的电性参数,并且得益于12英寸制程的稳定性,良率优异,为数字电源、数字音频功放等芯片应用提供了更具竞争力的制造方案。
华虹半导体执行副总裁范恒表示,智能化硬件种类与应用场景不断增多,对电源管理芯片的需求持续攀升,对电源管理芯片的性能要求也在不断提高。华虹半导体将持续深耕电源管理领域,加速发展技术布局与客户积累,进一步巩固和提升公司在电源管理应用领域的技术优势。
华虹宏力和国家集成电路产业投资基金股份有限公司、无锡锡虹联芯投资有限公司等在无锡高新技术产业开发区内,合资设立了华虹半导体(无锡)有限公司。其一期项目有一座月产能4万片的12英寸晶圆厂(华虹七厂),工艺节点覆盖90~65/55纳米,“IC+Discrete”强大的工艺技术平台有力支持物联网等新兴领域应用。不仅是中国大陆领先的12英寸特色工艺生产线,亦为全球第一条12英寸功率器件代工生产线。
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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