HBM、先进封装利好硅晶圆发展

发布时间:2024-07-02  

随着人工智能技术快速发展,AI芯片需求正急剧上升,推动先进封装以及HBM技术不断提升,硅晶圆产业有望从中受益。

近期,环球晶董事长徐秀兰对外透露,AI所需的HBM内存芯片,比如HBM3以及未来的HBM4,都需要在裸片(die)上做堆叠,层数从12层到16层增加,同时结构下面还需要有一层基底的晶圆,这增加了硅晶圆的使用量。

此前,媒体报道,AI浪潮之下全球HBM严重供不应求,原厂今明两年HBM产能售罄,正持续增加资本投资,扩产HBM。据业界透露,相较于同容量、同制程的DDR5等内存技术,HBM高带宽存储芯片晶圆的尺寸增大了35%~45%;同时,HBM制造工艺的复杂性导致晶圆的良率比DDR5低20%~30%。良率的降低意味着在相同的晶圆面积上,能够生产出合格芯片的数量减少,以上两个因素也意味着市场需要耗费更多硅晶圆以满足HBM的生产。

除了存储器之外,先进封装技术创新也对硅晶圆带来有利影响。徐秀兰表示,先进封装所需的抛光片也比之前要多,原因是封装变立体,结构制程也发生改变,部分封装需要的晶圆量可能会比过去多一倍。随着明年先进封装的产能开出,需要用到的晶圆数量将更加可观。

CoWoS是当前主流的先进封装技术,目前供不应求。

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询数据显示,英伟达B系列包含GB200、B100、B200等将耗费更多CoWoS产能,台积电(TSMC)亦提升2024全年CoWoS产能需求,预估至年底每月产能将逼近40k,相较2023年总产能提升逾150%;2025年规划总产能有机会几近倍增,其中英伟达需求占比将逾半数。

业界指出,过去半导体先进制程发展,die size缩小,减少了晶圆使用量。如今,在AI推动之下,封装立体化,助力晶圆使用量的提升,进而助力硅晶圆产业发展。但要注意的是,硅晶圆迎来利好的同时,HBM、先进封装技术的发展对硅晶圆质量、平整度、纯度等方面提出了更高的要求,这也将促使硅晶圆厂商做出相应的调整,以应对AI大势。

封面图片来源:拍信网

文章来源于:全球半导体观察    原文链接
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