技术咨询
代买器件
商务客服
研发客服据中国光谷5月10日消息，日前，长飞先进武汉基地项目首栋宿舍楼提前封顶。这标志着，该项目进入投产倒计时，预计于今年6月全面封顶，明年7月投产。
消息称，长飞先进武汉基地项目位于武汉新城中心片区，由长飞先进半导体（武汉）有限公司出资建设，总投资预计超过200亿元。项目主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，应用范围广泛覆盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域，致力于打造全智能化的碳化硅器件制造标杆工厂。项目建成后，将成为国内最大的碳化硅功率半导体制造基地。
该项目由中建一局承建，占地面积约22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米，主要建设内容包括芯片厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等，建设周期为578日历天。项目达产后，预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。