SK 海力士:12 层堆叠 HBM3E 开发三季度完成,下半年整体内存供应可能面临不足

发布时间:2024-04-25  

4 月 25 日消息,据韩媒 Viva100 报道,SK 海力士在今日举行的一季度财报电话会议上表示其 12 层堆叠(12Hi)HBM3E 内存开发有望三季度完成,而下半年整体内存供应可能面临不足。

目前三星电子已发布其 12Hi HBM3E 产品,该内存单堆栈容量达 36GB,目前已开始向客户出样,预计下半年大规模量产。

SK 海力士表示,今年客户主要聚焦 8Hi HBM3E 内存,SK 海力士将为明年客户对 12Hi HBM3E 需求的全面增长做好准备。

HBM3E 内存在价格方面相较 HBM3 更为昂贵,因为新产品可提供更大的带宽和容量。

电话会议上,SK 海力士称,其将优先确保拥有更高附加值且需求能见度更高的 HBM 内存供应;HBM 内存芯片尺寸又是常规 DRAM 的两倍。

这些因素会相对挤压常规 DRAM 的晶圆投片量,预计下半年产能将受到限制。

SK 海力士预估,如果下半年 PC 和智能手机需求复苏导致现有库存耗尽,内存市场将面临紧张局势。

对于未来的 HBM4 内存,SK 海力士表示混合键合技术的应用将被推迟,因为该技术存在较大难度,贸然引入会对产能和质量带来风险。

SK 海力士将在 16Hi HBM 中沿用现有的 MR-MUF(批量回流模制底部填充,Mass reflow molded underfill)键合技术,待到混合键合成熟后再进行使用。


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