原厂产能扩张仍属节制，存储报价涨势估不变

2024-01-03

【导读】据台媒《工商时报》报道，存储产业走过整个2023年，由「去库存」转至「补库存」，加上AI高速运算所需搭配高带宽内存（HBM）需求大增，国际大厂包括三星、SK海力士等稼动率逐渐恢复，展望2024年，业者乐估，大厂产能扩张仍属节制，存储报价将维持上涨趋势不变。

据台媒《工商时报》报道，存储产业走过整个2023年，由「去库存」转至「补库存」，加上AI高速运算所需搭配高带宽内存（HBM）需求大增，国际大厂包括三星、SK海力士等稼动率逐渐恢复，展望2024年，业者乐估，大厂产能扩张仍属节制，存储报价将维持上涨趋势不变。

据业界了解，2023年11～12月期间，随PC及手机回补库存需求带动，SK海力士及西部数据分别提升DRAM及NAND Flash工厂稼动率。

三星及SK海力士的DRAM及NAND Flash投片量，也在2023年第四季恢复至2022年第四季的高峰，但稼动率虽有所提升，产品报价尚未回到成本之上。

研调机构预估，2024年DRAM资本支出将和2023年相当，NAND资本支出则低于2023年约7％～9％，并未有大幅扩产现象。

截至2023年第四季，DRAM及NAND产能利用率，仅在先前高峰时的75％～80％、60％～65％，而原厂资本支出，将主要用于1b/1c nm制程扩充，以及HBM/200L 3D NAND相关需求。

业界人士指出，近期存储报价趋于稳定，主因季节性淡季需求减缓，交易行情冷清，但各大原厂在亏损下，涨价意图坚决，因此，在未回到成本之上前，预期存储报价涨势趋势不变。

中国大陆手机备货需求畅旺，机构上修2024年第一季手机相关存储报价展望，将Mobile DRAM涨幅从原本预估的上涨8％～13％，上修至18％～23％，将eMMC/UFS涨幅，由原本的5％～10％，上修至18％～23％，即是一例。

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