SK海力士宣布扩大NAND Flash减产!高端DRAM成增长亮点

发布时间:2023-07-27  

【导读】7月26日消息,韩国存储芯片大厂 SK 海力士在其最新公布截止6月30日的2023年第二季度财报,受益于人工智能 (AI) 的市场需求,带动了存储芯片的复苏,使得第二季的亏损较上第一季减少。同时,为了加速NAND Flash库存去化,SK海力士还宣布扩大减产NAND Flash。


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SK 海力士第二季度营收为 7.3059 万亿韩元,环比增长 44%,同比下滑 47%;营业亏损额达 2.8821 万亿韩元,环比增长 15%,同比由盈转亏;净亏损额达 2.9879 万亿韩元,环比下滑 16%,同比由盈转亏(去年同期为盈利4.3万亿韩元)。2023 财年第二季度营业亏损率为 39%,净亏损率为 41%。单季接近3万亿韩元的净亏损,超出了分析师预期的2.7万亿韩元净亏损。


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SK 海力士表示,第二季度 DRAM 和 NAND 的销量都大幅增加,尤其是 DRAM 平均价格相比一季度有所提升,这对于营业收入增加产生了很大影响。


虽然随着 PC、智能手机等消费类电子市场需求依旧疲软,使得DDR4 等普通 DRAM 产品持续降价。但随着以 ChatGPT 为代表的生成式 AI 市场的持续扩大,带动面向人工智能服务器存储芯片的需求迅速增长,特别是高带宽内存HBM3 和 DDR5 DRAM 等高端内存产品销售增加,使得第二季度的DRAM平均售价高于第一季度,整体的DRAM营收也大幅增长,从而推动二季度营业收入相比第一季度增加了44%,营业亏损也进一步收窄了15%。


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在产能规划方面,SK 海力士表示,2023 年上半年,由于全球经济景气不佳,导致了存储芯片市场需求下降,价格持续下跌。多数的制造商进行了减产,也让未售出产品的库存损失大幅提升。现阶段,在 NAND Flash 的库存去化速度相比DRAM更慢,因此SK 海力士决定扩大对于NAND Flash的减产幅度。


相比之下,SK 海力士将下半年的发力重点放到了更具增长潜力的高端DRAM和更高堆叠层数的NAND产品上。SK海力士计划在三季度扩大 HBM3、高性能 DDR5 和 LPDDR5 DRAM 等用于 AI 服务器的内存产品的销售,预计相比二季度增长10%-15%。同时,下半年还计划扩大基于 176 层 NAND Flash的 SSD产品的销售,并准备批量生产238层的NAND Flash,从而加速改善下半年业绩。


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SK 海力士认为:“用于 AI 的服务器的内存芯片需求强势将在今年下半年得到延续,闪存芯片厂商的减产效果或将逐渐明显。”为此,SK海力士将提升第五代 10 纳米级(1b)DRAM 和 238 层 NAND 闪存的初期量产良率和质量,在即将到来的市况好转时快速提升量产比重。


SK 海力士财务担当副社长(CFO)金祐贤表示:“虽然全公司的投资规模同比减少 50% 以上的基调没有变化,但公司将利用通过经营效率化确保的资金,针对今后主导市场的高容量 DDR5、HBM3 DRAM,持续投资扩大生产能力。”


存储器半导体市场以第一季度为低点,开始呈现恢复态势。公司将以高性能产品技术竞争力为基础,为快速改善业绩作出努力。”金祐贤补充说道。


值得注意的是,在快速增长的生成人工智能服务器所需的高带宽内存 (HBM) 领域,SK海力士一直是领头羊。市场调研机构 TrendForce 的数据也显示,2022年度,SK 海力士在 HBM 市场占有率高达50%, 其次是三星电子(40%)和美光科技(10%)。



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