安森美推出3款基于碳化硅、用于车载充电器的汽车功率模块

发布时间:2022-09-29  

APM32系列模块助力所有类型的电动汽车实现更快充电和更远续航里程

领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),今天宣布推出三款基于碳化硅 (以下简称”SiC”) 的功率模块,采用压铸模技术,用于所有类型电动汽车 (以下简称“xEV”) 的车载充电和高压 (以下简称“HV”) DCDC转换。APM32系列是把SiC技术和压铸模封装相结合的行业首创产品,可提高能效并缩短xEV的充电时间,专用于11 kW到22 kW的大功率车载充电器 (以下简称“OBC”)。

这三款模块都表现出低导通损耗和开关损耗的优势,结合同类最佳的热阻和高压隔离,可处理800 V总线电压。更高的能效和更少的发热最终使OBC的性能更强大。它使xEV充电更快和续航里程更远,这是消费者极为看重的两个关键因素。

安森美汽车电源方案副总裁兼总经理Fabio Necco说:“我们的新模块采用了最新的SiC技术,将损耗和整体系统体积降至最低,支持设计人员实现提升充电效率和节省空间的目标。设计人员采用预配置的模块格式,能够更快地配置他们的设计,大大缩短上市时间和降低设计风险。”

凭借安森美的端到端SiC供应链能力和经验证的SiC MOSFET和二极管,APM32模块具有高可靠性,且每个模块都序列化,完全可追溯。这些模块可在高达175℃的结温 (Tj) 下工作,即使在具挑战性的、空间受限的汽车应用中也能确保可靠性。
 
安森美电源方案部执行副总裁兼总经理Simon Keeton说:“APM32为客户提供差异化的解决方案,它采用安森美同类最佳的封装,充分发挥尖端前沿的SiC技术能力。此外,我们知道客户重视供应保证,而我们的端到端SiC供应链能力可以提供这种保证。”

APM32系列的两个模块NVXK2TR40WXT和NVXK2TR80WDT采用H桥拓扑结构,击穿(V(BR)DSS) 电压1200 V,从而确保适用于高压电池组。它们被设计用于OBC和HV DCDC转换段。第三款模块NVXK2KR80WDT采用维也纳整流器拓扑结构,用于OBC的功率因素校正(PFC)段。6-pack模块和全桥模块也将很快推出,以完善SiC OBC的产品组合。

三款模块都采用小巧、强固的双列直插式封装(DIP),确保了模块的低阻抗。顶部水冷和隔离功能符合最严格的汽车行业标准。爬电距离和电气间隙符合IEC 60664-1和IEC 60950-1。此外,这些模块还符合AEC-Q101和AQG 324车规。     

文章来源于:ECCN    原文链接
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